技术编号:7239025
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路,特别涉及具有应力通道区的金属氧化物半导体(MOS)结构。 背景技术随着集成电路变得更小且更快,金属氧化物半导体器件的器件驱动电流的 改善己变得越来越重要。器件电流与栅极长度、栅极电容与载流子迁移率密切 相关。縮短多晶栅极长度、增加栅极电容以及增加载流子迁移率可改善器件电 流性能。随着努力縮减电路尺寸的同时,正在努力进行栅极长度的縮减。通过 一些努力,例如縮减栅极介电质的厚度、与增加栅极介电质常数等等,也已达 到增加栅极电容的目的。为了更...
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