技术编号：7239031
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件,特别地，涉及一种DMOS ( Diffused MOS )型的晶体管。背景技术DMOS型的MOS晶体管具有高的源.漏极耐压、高的栅极耐压，被广 泛地应用于LCD驱动器等各种驱动器和电源电路等中。特别地，近年来， 需要具有高的漏极耐压(BVds)并且具有低的导通电阻的高耐压MOS晶体官。图8是表示在同一半导体衬底上混载N沟道型DMOS晶体管100和P 沟道型MOS晶体管101的结构的剖面图。在P型半导体衬底102的表面之上，形成N型...
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