技术编号：7239113
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制备半导体器件的方法，尤其涉及一种可以防止阶梯覆盖 问题的半导体器件电容，所述阶梯覆盖问题由在金属一绝缘体一金属(MIM) 电容器区域和其周边区域之间的MIM电容器所包括的绝缘膜和上金属膜的厚 度引起。背景技术示例图1A到图1D是解释制备半导体器件MIM (金属一绝缘体一金属) 电容器的相关技术的横截面视图。如示例图1A所示，在半导体基板l之上相 继形成下金属膜(下电容电极)11、绝缘膜12和上金属膜(上电容电极)13。 随后，如示例图1B所...
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