技术编号:7239126
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及半导体存储器件,尤其涉及一种一次性多比特可编程非易 失性存储器单元、阵列及其制造方法。背景技术随着集成电路技术的不断发展,对集成电路芯片制造技术的要求也越来越 高,尤其是对半导体存储器件的制造技术,开发商和制造厂商都不断投入大量 经费和研发人员用以提高甚至改变现有的半导体存储器制造技术。半导体存储 器包括多种类型,其中,使用较为广泛的当属非易失性半导体存储器。目前, 非易失性存储器包括只读非易失性存储器、可编程只读非易失性存储器、可编 程可擦...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。