技术编号:7242159
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在碳化硅半导体装置的MOSFET中,同时实现源极区域的低电阻化和栅极氧化膜的漏电流的降低。在MOSFET的栅极氧化膜(6)中产生的漏电流,通过使源极区域(4)和栅极氧化膜(6)的界面的粗糙部减小而受到抑制。在提高源极区域(4)的表面部分的杂质浓度的情况下,栅极氧化膜(6)通过干式氧化或CVD法而形成。在栅极氧化膜(6)通过湿式氧化形成的情况下,将源极区域(4)的表面部分的杂质浓度抑制得较低。专利说明[0001]本发明涉及一种碳化硅半导体装置,特别涉及一种用...
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