技术编号：7242717
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提出，包括步骤提供半导体衬底，包括基底层以及立于基底层上的鳍形沟道结构，鳍形沟道结构包括半导体材料的鳍形沟道以及覆盖鳍形沟道顶部的硬掩膜层；对鳍形沟道进行氧化处理，使得鳍形沟道侧壁表面被氧化层覆盖包围；进行湿法回推，去除鳍形沟道的顶部拐角处的氧化层，使鳍形沟道的顶部拐角的半导体材料部分暴露；在鳍形沟道的顶部拐角暴露出的半导体材料处生长外延线；移除硬掩膜层和鳍形沟道侧壁上剩余的氧化层；热氧化处理鳍形沟道使其完全转化为氧化物，去除氧化物，使外延线转变为悬...
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