技术编号:7242742
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种非挥发性记忆体及其制造方法。此非挥发性记忆体包括栅介电层、浮置栅极、控制栅极、栅间介电结构以及二个掺杂区。栅介电层配置于基底上。浮置栅极配置于栅介电层上。控制栅极配置于浮置栅极上。栅间介电结构配置于控制栅极与浮置栅极之间。栅间介电结构包括第一氧化物层、第二氧化物层以及带电荷氮化物层。第一氧化物层配置于浮置栅极上。第二氧化物层配置于第一氧化物层上。带电荷氮化物层配置于第一氧化物层与第二氧化物层之间。二个掺杂区分别配置于浮置栅极二侧的基底中。...
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