技术编号:7242813
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种瞬变电压抑制二极管PN结的实现方法,在P型衬底上涂敷光刻胶,通过光刻定义出器件的沟槽,用光刻胶保护沟槽之外的区域,进行干法刻蚀得到沟槽;去除光刻胶,在沟槽中填充本征多晶硅;采用选择性刻蚀去除多余的本征多晶硅,经刻蚀后本征多晶硅距离沟槽顶端的距离为0.1~3μm;在沟槽中本征多晶硅的上方填充N型多晶硅;通过选择性刻蚀去除多余的N型多晶硅,并进行化学机械抛光;在N型多晶硅上形成金属硅化物,在金属硅化物中形成接触孔,实现接触孔连接;通过位于接触孔...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。