技术编号:7242818
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,在玻璃基底、不锈铟基底或柔性基底上沉积Mo金属背电极层;铜铟镓硒光吸收层的制备;对铜铟镓硒光吸收层进行碱金属元素掺杂沉积;对沉积后形成的碱金属薄膜进行热处理,以使碱金属渗入铜铟镓硒晶界,并改善其晶界特性;碱金属残留物清洗;在碱金属残留物清洗后的铜铟镓硒薄膜层上沉积CdS、ZnS或InS缓冲层;沉积高阻i-ZnO层和ZnOAl窗口层,以形成铜铟镓硒太阳能电池。本发明退火后,碱金属渗入不会影响其晶格生成;碱金属渗透入铜铟镓硒光吸收层后,在提高开路电压的同...
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