技术编号：7242922
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了，包括提供衬底，在所述衬底上预先形成有具有图案的牺牲层；在所述衬底的表面以及所述牺牲层的表面和侧壁上形成硅层；执行回蚀刻，以在所述牺牲层的侧壁上形成由所述硅层构成的间隙壁；执行横向外延生长，以在所述间隙壁的表面上形成锗硅外延层；以及去除所述牺牲层，留下所述间隙壁和所述锗硅外延层，作为所述硬掩膜层。该方法克服了采用PR掩膜或者顶部呈圆弧状的硬掩膜所存在的问题从而能够获得良好的LWR和CD均一性，并且该方法可与传统工艺兼容从而能够降低成本。专利说明...
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