技术编号:7243046
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种,通过在所述硬掩膜层中形成沟槽,并在沟槽侧壁依次形成第一侧墙和第二侧墙,去除硬掩膜层后,对所述第一侧墙进行回拉工艺(Pullback),从而形成上宽下窄的栅极结构,从而在后续进行金属化工艺的过程中,沉积的金属材料层无法停留在栅极结构的部分侧壁上,在所述栅极层上和所述半导体衬底上形成间隔开的金属材料层,从而有效避免金属材料层在所述栅极层中的扩散,导致栅极结构和半导体衬底中的源漏区导通的问题,防止金属硅化物桥接问题,降低半导体器件的失效问题的发生...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。