技术编号：7243049
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种P型超结横向双扩散MOSFET器件，在N型衬底重掺杂区上具有N型外延漂移区；在N型外延漂移区中形成有元胞区和终端区；P型半绝缘柱区在元胞区和终端区中均具有多个P型半绝缘柱区；在所述P型半绝缘柱区底部和顶部分别有浓度高于P型半绝缘柱区的P型掺杂区；元胞区中所述P型半绝缘柱区之间有栅极沟槽；沟槽表面形成有栅氧化膜且填入多晶硅形成栅极；所述栅极沟槽与P型半绝缘柱区之间形成阱区；在阱区上部形成源区；源区和阱区通过接触孔连接地电位。本发明通过P型半绝...
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