技术编号:7243084
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于制造半导体器件的方法和用于制造半导体器件的装置。背景技术其中由大量晶体管或电阻器和功率半导体器件构成的电路被集成在芯片上的功率集成电路(IC)已经被广泛地用作计算机和通信设备的重要组件。IGBT (绝缘栅双极型晶体管)是组合MOSFET (M0S栅场效应晶体管)的高速开关和电压驱动特性与双极晶体管的低导通(ON)电压特性的功率半导体器件。IGBT广泛应用于エ业领域中,如通用逆变器、AC服务器或不间断电源(UPS)、以及开关电源,且还用于诸如微...
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