技术编号：7243305
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请公开了一种在半导体衬底上依次沉积多晶硅层，并形成图案化的硬掩膜层；图案化的硬掩膜层的宽度定义精细图案第奇数个线的位置；以图案化的硬掩膜层为掩膜，刻蚀多晶硅层至显露出半导体衬底；对经过刻蚀的多晶硅层进行修剪以达到目标线宽；在具有目标线宽的多晶硅层之间填充氧化层；在图案化的硬掩膜层的两侧形成侧壁层，侧壁层之间的空隙定义精细图案第偶数个线宽；以侧壁层和图案化的硬掩膜层共同作为掩膜，对显露出的氧化层进行刻蚀至显露出半导体衬底；再次沉积多晶硅层，填充在氧化层被...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。