技术编号:7243364
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种,包括以下步骤提供半导体衬底,形成阻挡层和牺牲层;形成沟槽并在沟槽中形成金属互连线;对牺牲层进行回刻蚀工艺;在所述牺牲层和所述金属互连线上覆盖硬掩膜层;刻蚀所述硬掩膜层,剩余的硬掩膜层在所述金属互连线的侧壁上形成侧墙;去除剩余的牺牲层;沉积第一介质层,在所述侧墙下方的金属互连线周围形成空气间隙。在沉积形成第一介质层的过程中,由于侧墙的遮挡可以在侧墙下方金属互连线周围形成空气间隙,进一步降低金属互连线周围的介电常数,提高半导体器件的介电性能,此...
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