金属互连工艺中形成空气间隙的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种金属互连工艺中形成空气间隙的制造方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，形成阻挡层和牺牲层；形成沟槽并在沟槽中形成金属互连线；对牺牲层进行回刻蚀工艺；在所述牺牲层和所述金属互连线上覆盖硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层，剩余的硬掩膜层在所述金属互连线的侧壁上形成侧墙；去除剩余的牺牲层；沉积第一介质层，在所述侧墙下方的金属互连线周围形成空气间隙。在沉积形成第一介质层的过程中，由于侧墙的遮挡可以在侧墙下方金属互连线周围形成空气间隙，进一步降低金属互连线周围的介电常数，提高半导体器件的介电性能，此外，该形成的空隙间隙尺寸可以调整，从而避免空气间隙过大，提高半导体器件的机械抗压能力。
【专利说明】金属互连工艺中形成空气间隙的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种金属互连工艺中形成空气间隙的制造方法。
【背景技术】
[0002]随着半导体器件的集成度越来越高，限制半导体器件的速度的主要因素已不再是晶体管延迟，而是与导电材料(例如金属)互连相关联的电阻-电容(RC)延迟。认识到这一点之后，为了减小导电材料互连的电容从而减小RC延迟，业界技术人员已进行了大量工作用于研发新的材料和制造工艺。例如，将作为导电材料互连层中的电介质材料，选择采用具有低介电常数的电介质材料。在所有材料中，介电常数最低的当属空气，空气的介电常数为1，其他介质材料层的介电常数均大于1，因此，技术人员开始关注在层间介质层中形成空气间隙(Air Gap)，空气间隙的形成能够进一步减小层间介质层的整体介电常数，以降低导电材料之间的电容，提高半导体器件的性能。
[0003]在现有金属互连工艺的制作方法中，形成具有空气间隙的半导体器件的一种方法是在当前层间介质层中，通过光刻和刻蚀法，在金属互连线之间形成尺寸较小的间隙，然后利用化学气相沉积(CVD)法，在当前层间介质层上覆盖形成后一层间介质层，而不填充该间隙，从而在当前介质层中形成空气间隙；虽然该方法达到了降低集成电路RC延迟的目的，但是由于制造工艺本身的限制，对于关键尺寸(CD)较小的半导体器件来说，该方法在形成具有多个的金属互连层的半导体器件时，由于金属互连线之间的间隔(Space)较小并且现有光刻工艺的精确度限制，后一层金属层的通孔插塞(Plug)难以与当前层的金属互连线对准，而是与位于金属互连线之间的空气间隙相连通，使后一层通孔插塞内填充的金属铜落进空气间隙中，导致半导体器件的短路问题。因此，对于小尺寸半导体器件来说，如何增大金属铜与下层连接孔对准时的工艺窗口，成为业内需要解决的问题。
[0004]现有技术中另一种方法通过形成一种能够在特定工艺中去除的牺牲层，在完成当前金属互连层和后一金属互连层后，在特定工艺，例如加热工艺中去除牺牲层，以形成空气间隙。然而，该方法同样具有问题，该方法形成的牺牲层是整体覆盖于层间介质层之上的，因此在后续全部去除之后，往往形成大面积空气间隙，形成的空气间隙的尺寸不易调整，大大降低了器件的机械抗压能力，甚至因此器件中金属互连层的塌陷，严重降低半导体器件的性能。
[0005]因此，在金属互连中如何调节空气间隙的尺寸，以在降低介质层整体介电常数的前提下保持机械抗压能力，成为亟待解决的问题。
【发明内容】
[0006]本发明的目的是提供一种在金属互连工艺中形成空气间隙的制造方法。
[0007]为解决上述问题，本发明一种金属互连工艺中形成空气间隙的制造方法，包括以下步骤:[0008]提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成阻挡层和牺牲层；
[0009]依次刻蚀所述牺牲层和阻挡层以形成沟槽，并在沟槽中形成金属互连线；
[0010]对牺牲层进行回刻蚀工艺，使所述金属互连线的高度高于所述牺牲层；
[0011]在所述牺牲层和所述金属互连线上覆盖硬掩膜层；
[0012]刻蚀所述硬掩膜层，剩余的硬掩膜层在所述金属互连线的侧壁上形成侧墙；
[0013]去除剩余的牺牲层；
[0014]沉积第一介质层，在所述侧墙下方的金属互连线周围形成空气间隙。
[0015]进一步的，所述牺牲层的材质为氧化硅、氮氧化硅、无定形碳或多晶硅。
[0016]进一步的，所述牺牲层的材质为氧化硅，在对所述牺牲层进行回刻蚀工艺的过程中，采用湿法刻蚀所述牺牲层，刻蚀物质包括氢氟酸。
[0017]进一步的，在对所述牺牲层进行回刻蚀工艺的过程中，对所述牺牲层刻蚀的厚度大于5nm。
[0018]进一步的，在沉积第一介质层的步骤之后，还包括进行化学机械研磨工艺，以暴露所述金属互连线。
[0019]进一步的，所述侧墙在化学机械研磨工艺中被全部或部分去除。
[0020]进一步的，在所述牺牲层和阻挡层之间，还包括第二介质层。
[0021 ] 进一步的，所述第二介质层的材质与所述第一介质层的材质相同。
[0022]进一步的，所述第一介质层的材质为低介电常数材料。
[0023]进一步的，所述低介电常数材料为多孔硅、SiOF, SiOC、有机聚合物、包含有机聚合物的硅基绝缘体、掺杂碳的硅氧化物或掺杂氯的硅氧化物。
[0024]进一步的，所述牺牲层的材质为氧化硅、氮氧化硅、无定形碳或多晶硅。
[0025]进一步的，所述硬掩膜层的材质为氧化硅、氮氧化硅、无定形碳或多晶硅。
[0026]进一步的，在形成所述沟槽的步骤中，形成至少两个相邻设置的沟槽，相邻沟槽之间的距离大于35nm。
[0027]进一步的，所述侧墙的底面宽度大于5nm。
[0028]综上所述，本发明在衬底上形成牺牲层，在牺牲层中形成金属互连线后对牺牲层进行回刻蚀工艺，从而覆盖硬掩膜层并对硬掩膜层进行刻蚀工艺后，在金属互连线的侧壁上形成侧墙，其后去除牺牲层，在后续沉积形成第一介质层的过程中，由于侧墙的遮挡可以在侧墙下方金属互连线周围形成空气间隙，进一步降低金属互连线周围的介电常数，提高半导体器件的介电性能；此外，通过本发明形成的空隙间隙尺寸可以调整，从而避免空气间隙过大，提高了半导体器件的机械抗压能力。
【专利附图】
【附图说明】
[0029]图1为本发明一实施例中金属互连工艺中形成空气间隙的制造方法的流程示意图。
[0030]图2?图12为本发明一实施例中金属互连工艺中形成空气间隙的制造方法的流程不意图。
【具体实施方式】[0031]为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容作进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。
[0032]其次，本发明利用示意图进行了详细的表述，在详述本发明实例时，为了便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应以此作为对本发明的限定。
[0033]图1为本发明一实施例中金属互连工艺中形成空气间隙的制造方法的流程示意图。如图1所示，本发明提供一种金属互连工艺中形成空气间隙的制造方法，包括:
[0034]步骤SOl:提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成阻挡层和牺牲层；
[0035]步骤S02:依次刻蚀所述牺牲层和阻挡层以形成沟槽，并在沟槽中形成金属互连线.[0036]步骤S03:对所述牺牲层进行回刻蚀工艺，使所述金属互连线的高度高于所述牺牲层；
[0037]步骤S04:在所述牺牲层和所述金属互连线上覆盖硬掩膜层；
[0038]步骤S05:刻蚀所述硬掩膜层，剩余的硬掩膜层在所述金属互连线的侧壁上形成侧墙；
[0039]步骤S06:去除剩余的牺牲层；
[0040]步骤S07:沉积第一介质层，在所述侧墙下方的金属互连线周围形成空气间隙。
[0041]图2?图12为本发明一实施例中金属互连工艺中形成空气间隙的制造方法的流程示意图。结合图2?图12，以下详细说明本发明所述金属互连工艺中形成空气间隙的制造过程。
[0042]如图2所示，在步骤SOl中，提供半导体衬底100，所述半导体衬底100可以为单晶硅、多晶硅或者锗硅化合物等半导体材质；在所述半导体衬底100中形成有有源电路，包括有源区以及各种掺杂区，例如N阱、P阱以及轻掺杂源漏区(LDD)等，此外还可以形成有其他各种隔离元件，例如浅沟槽隔离结构(STI)等用以形成半导体器件的必要结构；上述结构根据实际半导体器件制造工艺过程确定，为本领域技术人员所熟知技术内容，故在此不再赘述。
[0043]继续如图2所示，接着，在所述半导体衬底100上依次形成阻挡层102和牺牲层106。所述阻挡层102的材质可以为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，在较佳的实施例中，所述阻挡层102的材质为氮化硅，所述牺牲层106的材质为氧化硅、氮氧化硅、无定形碳或多晶硅。
[0044]如图3所示，在另一实施例中，在所述阻挡层102和所述牺牲层106之间还形成有第二介质层104，所述第二介质层104的材质为低介电常数材料，可以采用化学气相沉积法(CVD)形成。其中所述低介电常数材料可以为多孔硅、多孔SiLK，SiOF、SiOC、有机聚合物、包含有机聚合物的硅基绝缘体、掺杂碳的硅氧化物或掺杂氯的硅氧化物，当然其他介电常数小于娃的半导体材质均可作为第一介质层104的材质。所述第二介质层104的材质与后续形成的第一介质层的材质相同。所述第二介质层104能够对后续在沟槽中形成的金属互连线有一定的支撑作用，提高半导体器件的机械应力。在以下的实施例中，均以具有第二介质层104为例进行说明。
[0045]结合图4和图5，在步骤S02中，依次刻蚀所述牺牲层106和阻挡层102以形成沟槽200，并在沟槽100中形成金属互连线108 ;所述沟槽200通过光刻和刻蚀工艺形成，在本实施例中，形成的沟槽200实际具有通孔(Via)和沟渠(Trench)的两层结构，贯穿所述牺牲层106的为沟渠，所述沟渠用于形成金属互连层，贯穿所述阻挡层102的为通孔，所述通孔用于形成金属互连层与金属互连层之间的通孔插销，所述通孔和所述沟渠可以通过两次光刻和刻蚀工艺形成。其中，所述金属互连线108的形成过程包括:首先电镀金属以填充所述沟槽200，接着进行化学机械研磨工艺以去除沟槽200以外的金属，从而形成金属互连线108。所述金属互连线108较佳的材质优选为铜。同时形成的沟槽200在所述第二介质层104中的直径与在所述阻挡层102中的直径相同。在实际工艺过程中，形成两个以上沟槽200，沟槽200之间相邻设置，相邻沟槽200之间的距离大于35nm，以避免相邻的金属互连线导通。
[0046]如图6所示，在步骤S03中，对牺牲层106进行回刻蚀工艺，使所述金属互连线108的高度高于所述牺牲层106 ;在较佳的实施例中，所述牺牲层106的材质为氧化硅，在对所述牺牲层106进行回刻蚀工艺的过程中，采用湿法刻蚀所述牺牲层106，刻蚀物质包括氢氟酸。在对所述牺牲层106进行回刻蚀工艺的过程中，刻蚀所述牺牲层106厚度大于5nm，例如 IOnm0
[0047]如图7所示，在步骤S04中，在所述牺牲层106和所述金属互连线108上覆盖硬掩膜层110a，所述硬掩膜层IlOa的材质可以为氧化硅、氮氧化硅、无定形碳或多晶硅，可以采用化学气相沉积法形成。
[0048]如图8所示，在步骤S05中，刻蚀所述硬掩膜层110a，剩余的硬掩膜层IlOa在所述金属互连线108的侧壁上形成侧墙110 ;利用湿法刻蚀的刻蚀特性，剩余的硬掩膜层IlOa在所述金属互连线108的侧壁形成侧墙110。侧墙110的底面宽度大于5nm，以保证后续能够在所述侧墙110下方的金属互连线108的周围形成空气间隙300。
[0049]如图9所示，在步骤S06中，去除剩余的牺牲层106。本实施例中，湿法刻蚀去除所述牺牲层106，所述牺牲层106的刻蚀选择比与所述侧墙110的刻蚀速率差别较大，将牺牲层106去除，保留所述侧墙110。
[0050]如图10所示，在步骤S07中，在沉积第一介质层112的过程中，由于侧墙110的遮挡，在所述侧墙Iio下方的金属互连线108的周围形成空气间隙300。
[0051]此外，可以形成多个相邻的沟槽200，在沟槽200中形成多个相邻的金属互连线108，通过控制相邻的金属互连线108之间的距离，还可以在沉积第一介质层112的过程中，在相邻的金属互连线108之间亦可以形成空隙302。
[0052]在步骤S07之后，进行化学机械研磨工艺，以暴露所述金属互连线的顶面。可以如图11所示，所述侧墙110在化学机械研磨工艺中被部分去除。还可以如图12所示，所述侧墙110在化学机械研磨工艺中被全部去除。
[0053]综上所述，本发明在所述衬底上形成牺牲层，在牺牲层中形成金属互连线后对牺牲层进行回刻蚀工艺，从而覆盖硬掩膜层并对硬掩膜层进行刻蚀工艺后，在金属互连线的侧壁上形成侧墙，其后去除牺牲层，在后续沉积形成第一介质层的过程中，由于侧墙的遮挡可以在侧墙下方金属互连线周围形成空气间隙，进一步降低金属互连线周围的介电常数，提高半导体器件的介电性能，此外，该形成的空隙间隙尺寸可以调整，从而避免空气间隙过大，提高半导体器件的机械抗压能力。
[0054]虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属【技术领域】中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。
【权利要求】
1.一种金属互连工艺中形成空气间隙的制造方法，包括: 提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成阻挡层和牺牲层； 依次刻蚀所述牺牲层和阻挡层以形成沟槽，并在沟槽中形成金属互连线； 对所述牺牲层进行回刻蚀工艺，使所述金属互连线的高度高于所述牺牲层； 在所述牺牲层和所述金属互连线上覆盖硬掩膜层； 刻蚀所述硬掩膜层，剩余的硬掩膜层在所述金属互连线的侧壁上形成侧墙； 去除剩余的牺牲层； 沉积第一介质层，在所述侧墙下方的金属互连线周围形成空气间隙。
2.如权利要求1所述的金属互连工艺中形成空气间隙的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的材质为氧化硅、氮氧化硅、无定形碳或多晶硅。
3.如权利要求2所述的金属互连工艺中形成空气间隙的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的材质为氧化硅，在对所述牺牲层进行回刻蚀工艺的过程中，采用湿法刻蚀所述牺牲层，刻蚀物质包括氢氟酸。
4.如权利要求3所述的金属互连工艺中形成空气间隙的制造方法，其特征在于，在对所述牺牲层进行回刻蚀工艺的过程中，刻蚀所述牺牲层的厚度大于5nm。
5.如权利要求1所述的金属互连工艺中形成空气间隙的制造方法，其特征在于，在沉积第一介质层的步骤之后，还包括:进行化学机械研磨工艺，以暴露所述金属互连线。
6.如权利要求5所述的金属互连工艺中形成空气间隙的制造方法，其特征在于，所述侧墙在化学机械研磨工艺中被全部或部分去除。
7.如权利要求1所述的金属互连工艺中形成空气间隙的制造方法，其特征在于，在所述牺牲层和阻挡层之间还包括第二介质层。
8.如权利要求7所述的金属互连工艺中形成空气间隙的制造方法，其特征在于，所述第二介质层的材质与所述第一介质层的材质相同。
9.如权利要求1至8中任意一项所述的金属互连工艺中形成空气间隙的制造方法，其特征在于，所述第一介质层的材质为低介电常数材料。
10.如权利要求1至8中任意一项所述的金属互连工艺中形成空气间隙的制造方法，其特征在于，所述低介电常数材料为多孔硅、SiOF, SiOC、有机聚合物、包含有机聚合物的硅基绝缘体、掺杂碳的硅氧化物或掺杂氯的硅氧化物。
11.如权利要求1至8中任意一项所述的金属互连工艺中形成空气间隙的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材质为氧化硅、氮氧化硅、无定形碳或多晶硅。
12.如权利要求1至8中任意一项所述的金属互连工艺中形成空气间隙的制造方法，其特征在于，在形成所述沟槽的步骤中，形成至少两个相邻设置的沟槽，相邻沟槽之间的距离大于35nm。
13.如权利要求1至8中任意一项所述的金属互连工艺中形成空气间隙的制造方法，其特征在于，所述侧墙的底面宽度大于5nm。
【文档编号】H01L21/768GK103515300SQ201210224447
【公开日】2014年1月15日 申请日期:2012年6月29日 优先权日:2012年6月29日
【发明者】鲍宇 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司