用于硬盘驱动器(hdd)中亚纳米间隙的空气支承浮动块设计的制作方法

文档序号:6738698阅读:186来源:国知局
专利名称:用于硬盘驱动器(hdd)中亚纳米间隙的空气支承浮动块设计的制作方法
技术领域
本发明涉及安装了浮动块(Slider)的薄膜磁读/写头的制造,并且具体涉及形成适用于亚纳米间隙的浮动块空气支承表面(ABS)的方法。
背景技术
在磁硬盘驱动器(HDD)中盘片上数据通过变换器(或“元件”)存储和提取。每个磁头元件被嵌入浮动块,浮动块在IOnm或更小的高度上(飞行高度)气动飞过旋转的盘片。除被动飞行高度(没有主动操作器介入的飞行高度)外 ,在读/写过程中的主动间隔实际上变得更小,可能低到2nm,以获得更高的面密度和盘片容量。例如,所谓的按需飞行(FOD)或动态飞行高度(DFH)现已被应用于通过由局部嵌入的加热器的热效应引起的元件/变换器的突出物来控制磁间隔。在如此低间隙的情况下,各种近距离相互作用,例如分子间作用力(MF),半月形和静电力(ESF)以及盘片表面形状(topography)的影响,容易使空气支承浮动块不稳定。而且,运行震动,润滑剂转移,高度变化,热变化,以及甚至于湿度都会成为在确定气动稳定性和由此的浮动块可靠性中扮演越来越严重角色的额外动摇因素。已经证明要找到能够使其满足现有运行条件的稳定性要求的浮动块的空气支承表面(ABS)的合适设计是非常困难的。更具体地,关于运行震动,有两种主要的故障模式,升起和压缩,它们分别由浮动块上的悬架(suspension)上的预负荷的减少或增加引起。对于现有的负压空气支承表面设计,相较于压缩抵抗,浮动块更易于升起抵抗。也就是说,抗升起通常更优于抗压缩,并且由此给定在现有运行条件的亚纳米间隙,磁头容易由于压缩震动而失效。而且,在现有的空气支承表面设计中,压缩震动至少与Z高度敏感度联系,Z高度敏感度涉及驱动组件公差。良好的Z高度敏感度常常损害压缩震动性能,这是驱动器供应商目前最可能依靠悬架优化来获得对震动性能的改进的原因。当考虑润滑剂转移时,通常在盘片(或介质)表面和浮动块之间存在一层润滑剂。当浮动块在盘片表面上滑行时,润滑剂承受非常高的空气支承压力,由于运行期间出现的负的和正的压力,该压力造成润滑剂损耗和粘着(Pick up)。从盘片转移到浮动块的大部分润滑剂存在于浮动块后沿(TE),因为TE非常靠近盘片表面飞行。随着回流,润滑剂然后前向移动(朝向浮动块的前沿(LE)),积累在气流停滞区域。实验还指出回流在从浮动块的TE到变换器所处的中央平板的润滑剂的移动中扮演重要的角色。由此,读/写间隙不能稳定,因为在ABS的积累的润滑剂影响浮动块的气动性并进而影响其稳定性和HDD的可靠性。关于浮动块对环境条件的敏感度,大部分现有的浮动块在板上压力传感器的协助下能够获得可接受的高度性能。但是,为了使得对不同盘道的补偿误差最小化,各盘道之间的高度损失的一致性相较于高度损失本身变得越来越重要。热变化对浮动块冠部(crown)和纵向静态角(PSA,pitch static angle)的影响变得明显而受到关注,因为由热能引起的在间隙中的即使微小的变化,浮动块冠部和PSA也将在亚纳米范围内对读/写性能造成显著影响。由此,具有对冠部和PSA的较小敏感度的空气支承设计得到高度推荐,尤其是在盘片变形和起伏通常更加严重且容易随浮动块ABS表面情况而调整的内部盘片(ID)。参考示意性的现有技术图1,其中示出硬盘驱动器(HDD)的一部分,其中,嵌入到称为浮动块7的陶瓷制基底中的封装的、小薄膜磁读/写头30用于在磁介质或存储盘15上读和写数据。读/写头30使用例如电镀、CVD(化学气相沉积)和光刻图案和蚀刻等公知的半导体沉积技术来形成。浮动块7具有背表面,在该处其附接到磁头悬臂组件(HGA) 150的远端,浮动块7还具有通常被称为ABS平面300的图案化的空气支承表面(ABS),其在HDD运行期间面对旋转的盘片15。这里以侧I视图示出的ABS平面300,仅限定图案化浮动块ABS的虚拟表面边界,因为图案化实际上雕刻平面以产生气流通道并控制气动 性。这些通道将在后面的附图中示出,在这里的侧视图无法看到。HGA150由机电装置和电子控制电路驱动以将安装在浮动块上的磁头沿盘片上的磁道放置于各种位置(磁道未示出)。由于盘片由主轴电机(未示出)高速旋转,流体动压在浮动块7的图案化ABS平面30和盘片15的表面之间引起空气流(箭头25)。该气流抬起浮动块以使得其由一层空气支撑,实际上以“飞行高度”80飞行在盘片表面上方。该飞行高度,在现有技术中,大约小于等于10nm。盘片旋转经过的浮动块的边沿被称为它的“前沿”200,容纳读/写磁头30的相反的边沿被称为“后沿” 100。浮动块动作的气动性在旋转盘片表面上方抬起前沿高于后沿。如在图2中示意性地示出的,盘片15表面通常覆盖有不规则的润滑剂层,其在此用小的球状液滴150指代。液滴不规则地积聚成小堆或“堆”155。用箭头25指示的位于浮动块的ABS下方的气流创建相对于ABS的空气压力分布,其被示意性地指示为曲线160。还示出了到浮动块的后沿表面100的润滑剂流170。到浮动块的后沿表面的润滑剂流是作用于浮动块的ABS上(由压力曲线指示)和盘片表面的润滑剂分布上的很高的空气支承力的结果。这些力作用使得形成所述润滑剂堆155和润滑剂转移170。润滑剂行为的具体原因同时取决于所述作用力和润滑剂特性,例如分子粗糙度和粘性。在负压ABS设计的影响下(使得浮动块接近盘片表面),转移到浮动块的大部分润滑剂被与箭头25反向的空气回流吸附在浮动块ABS的后沿100下。润滑剂可被吸入浮动块的图案化ABS中的空气穴(airpocket)中(参见图8B),在该处由于其中的低温(subambient)压力使得润滑剂积累并驻留。消除这种润滑剂积累将是本发明的目标之一。但是,当前在HDD业界有在空气支承表面设计中使用可以在亚纳米间隙应用中提供帮助的新设想的需求。在提高浮动块性能方面,ABS表面形状的作用在本领域是公知的并且这种现有的浮动块如上所示。Sannino等人(US专利No. 6,515,831)教导一种具有用于增强阻尼和低温压力腔的通道的浮动块表面。(US公开专利申请2009/0219651)教导了一种用于HDD应用的空气支承设计。Dorius (US专利申请2010/0128395)公开了一种在其后沿具有横杆和润滑剂积累屏障的T型通道。Pendray等人(US专利No. 6,989,967)示出了一种在后沿彼此不靠近的T型中央通道和侧凹壁。Bontaghou等人(US专利No. 6,809, 905)示出了在后沿的中央腔室和两个侧部隔壁。Rajakumar (US专利No. 7,245,455)公开了在靠近后沿的两边彼此靠近的隔壁。此外,在减少震动的影响方面,悬架的作用也已被现有技术所公知。在这一方面,Mei等人(US专利No. 7,706,106)教导了一种具有对高震动抵抗具有加强特性的硬盘驱动器悬架提升装置。上述现有技术均未教导解决本发明所要解决的问题。

发明内容
首先提供一种具有空气支承表面(ABS)设计的浮动块,其帮助缓解硬盘驱动器中的亚纳米间隙问题。本发明的第二个目的是提供这样一种ABS设计,其还将消除与压缩振动相关的问题,该问题通常是由悬架设计而非ABS设计来解决。 本发明的第三个目的是提供这样一种ABS设计,其还将提供消除与回流以及润滑剂积累相关的问题。本发明的第四个目的是提供一种浮动块ABS设计,其将降低对于冠部、PSA和Z高度变化的敏感度。本发明的第五个目的是提供一种ABS设计,其将提供高阻尼系数以使得浮动块在不期望的磁头/盘片互相作用后快速恢复到稳定的气动条件。这些目的将通过具有ABS表面形状的浮动块实现,在ABS表面形状中变化深度的图案的沟槽和通道实现特别有利的气流和压力分布(将在后进行详细说明)。首先,横向的(相对于中心轴)深空气沟槽被(高度上)对称的双轨“双高度桥”(沿中心轴)纵向分割,从而得到根据高度的倾斜效应和磁道一致性。其次,T型构造由一个纵向、一个横向的两个相邻的通道形成,该T型构造即使在高的高度的低压力下,仍然积累气流并将气流从浮动块前沿导向后沿上的中央平板,在中央平板中嵌入有变换器。所述T型的两个片段(segment)之间的交叉点允许提高压缩振动下的性能,而不需要利用悬架特性。根据硬盘驱动器的性能特性调整这些通道的深度使得可以在中央平板产生压力,由此强化纵向和转动稳定性。再次,飞行浮动块下部的干扰气流图案在空气支承系统的固有频率下产生纵向和转动模式的高的阻尼系数。此外,浮动块的后沿的浅隔壁(dam)用作装载/卸载支撑装置和回流阻挡装置,其提供运行中对磁头/盘片接触的阻止并减少通常由回流粘着的润滑剂积累。


本发明的目的、特征和优点将在如下所述的优选实施方式的说明的内容中得到理解。优选实施方式的说明结合附图的内容理解,其中图I是示出在旋转盘片上方气动运动的典型现有技术浮动块的特征的示意性侧视图;图2是示出图I的现有技术浮动块在经润滑的盘片上方飞行,并示出润滑剂到浮动块的转移示意性侧视图;图3A是本发明的浮动块ABS的示意性底面视图,图示通过阴影区分各种表面形状特征的深度;图3B是图3A的浮动块的表面形状的示意性3维等比例视图;图3C是示出在HDD运行中图3A的ABS表面上空气压力的分布的示意性图示;
图4包括一组六个附图A、B、C、D、E、F,用于图示当前浮动块对于压缩震动的响应以及将该响应与现有技术浮动块的响应相比较;图5是当前浮动块对于其运行在降低的压力下而表现明显的高度变化的响应的图示;图6A和6B是相对于由磁头-盘片互相作用触发的空气支承表面正常谐振模式,当前浮动块的阻尼系数(6A)和现有技术浮动块的那些阻尼系数(6B)的对比;图7A、7B、7C和7D示出根据在后沿(TE)有或缺少隔壁,当前浮动块对于卸载的反应特性(“最佳点”);图8A和8B是示出由于在后沿的浅封闭隔壁而在当前浮 动块中不存在回流(用流线指示)(图8A),和对比当不提供浅封闭隔壁时,与相同浮动块关联的的回流的示意图,在图SB中,示出由于缺少浅隔壁使得流线进入空气穴;图9是示出冠部、PSA和Z高度对飞行高度sigma的作用的饼图。
具体实施例方式本发明的优选实施例是一种气动稳定浮动块,优选以图3A和图3B所示的浮动块形式被设计。该浮动块具有消除与亚纳米飞行高度相关的各种问题并达到上述目的的ABS表面形状。现在参见图3A、3B和3C,首先在图3A中所示的是本发明的浮动块的优选实施例的底部ABS平面视图。为了显示清楚的目的,逐渐变亮(较小的线密度)的阴影区域表示相对于浮动块ABS的最上层平面的更加深的表面区域。其次,在图3B中,有3维透视图显示图3A中的浮动块的另一视图。该视图仅为可视地清楚说明图3A的阴影平面视图中所示的表面形状的目的而呈现,并不意味着指示ABS表面形状中雕刻的实际深度。最后,在图3C中示出了在HDD运行中图3A的浮动块表面的空气压力分布的图示。片段的高度指示压力的强度。竖轴用于指示压力强度。图3A的可变深度浮动块ABS表面形状通过三道离子研磨(ion-milling)工艺产生通常在O微米到200微米范围内的最终累积深度而制造。浮动块整体上具有大约O. 85-1. 25mm之间的长度,大约O. 5-1. Omm之间的宽度和大约O. 16-0. 3mm的厚度的尺寸。作为离子研磨工艺的结果,一共五个图案层被产生,每个层由相对于最上面的ABS表面的深度和对应的指示该深度阴影来特征化。在图中以从没有阴影(最深)到最密集阴影(表面)表示的这五个深度如下无阴影(140微米深);(34微米深);(25微米深);(9微米深);(0微米)最密集阴影。这些深度通过三次连续蚀刻的序列形成。第一次蚀刻产生9微米深度的部分形成的特征。第二次蚀刻产生相对于第一组特征的25微米的进一步深度的特征,其将随后包括具有34微米深度的特征。最后一次蚀刻产生106微米的进一步深度的特征,其产生具有140微米深度的最深的特征。ABS表面形状的特点是“深空气沟槽”300,其横向穿过浮动块的中心轴310并实质上将ABS分隔为两个部分到浮动块的前沿(LE)侧的“前沿部分”320和到浮动块的后沿(TE)侧的“后沿部分”330。宽箭头440指示在HDD运行中朝向浮动块的LE的气流方向。所述深空气沟槽没有阴影,以表示其为ABS表面形状的最深特征之一。深空气沟槽300并不是完全横向贯通ABS表面,而是被两个不等高的轨道状片段510和520中断或“横跨”。这些轨道实际上形成为平行于浮动块的中心轴310延伸的“下行通道(down-track channel) ” 550的外边缘的一部分。该通道可为浮动块长度的大约50%到70%之间且为浮动块宽度的10%到20%之间。两个外边缘实质上一致地分离并对称地间隔在中心轴的不同侧,但是,如上所述,它们的高度在横跨片段处变化,而且它们轻度地互相靠拢变尖(taper)。该下行通道的后沿端在浮动块的中央平板580处终结,通道的前沿端由上述组件靠拢到一起的外边缘形成,其中借由具有位于浮动块的前沿部分中的“交径通道(cross-track channel) ” 620形成交叉点。交径通道620具有浮动块宽度的大约25%到75%之间的横向长度。交径通道的宽度(纵向的)在大约35到75微米之间。

下行通道和交径通道之间的交叉点被形成为“扭结/横杆(kink/bar) ”630,其为在通道中连接边缘的具有小横杆的两边缘的交缠部分。下行通道在图示中也没有阴影并具 有与“深空气沟槽”相同的最大深度。边沿片段之一 510沿通道550的整个长度延伸并具有不变的高度。相对的片段520在横跨深空气沟槽的区域与片段510不等高,但是它在深空气沟槽的TE侧上升到片段510的高度。如前所述,这两个片段在他们横切深空气沟槽的区域被称为“双高度桥”。上述的交径通道620形成在浮动块的LE部分中,并且如上所述,由一起有效地终结下行通道的LE端的小“扭结”和“横杆”630将交径通道620与下行通道的LE端分隔开。该横杆630被设计位于要加压的下行通道550中以进行“预负荷预负荷”(悬架力)敏感度控制并最终用于压缩震动的改进,而不会明显不利于Z-高度(介质表面到悬架基平面的距离)敏感度。如在本发明的目的中所述,通过使用ABS设计而非悬架设计提供了在运行震动抵抗中的明确的改进。如从图3A的图示可以看到的,交径通道620与下行通道550的交叉形成了“T”型,其用于将气流从浮动块的LE直接导向到其中嵌入变换器的浮动块的TE部分中的中央平板580上。该被导向的气流即使在高的高度也存在,由此其也提高了在那些条件下的浮动块性能。重要的是通道结构的T型和能够变化下行通道深度和宽度允许更高的压力专门对准在中央平板,以使得通道结构用于将压力传递到最优的位置而非自行形成高压区域。这将在后面进行讨论并参考图3C。而且,由于位于深空气沟道300的两个部分之间的双高度桥510和520,气流量在各个倾斜角度也受到控制,其微调飞行高度属性和在不同磁道的高度一致性。这将通过参见图5在后面内容中看到。根据HDD设计,按照半径、倾斜和旋转速度,下行通道的宽度和深度可被调整以在中央平板580产生压力而不是在通道本身中或通道周围的侧平板750上产生压力。该目标压力产生在图3C中示出,其中指示了在中央平板两侧的强烈的压力峰值。通过这种方式,在纵向和转动方向上空气支承的稳定性得到显著增强,且获得浮动块飞行高度相对于浮动块冠部、PSA和Z高度的非常低的敏感度,如图9所图示及如下所述。因为通道以及在浮动块的LE部分中的负压空气穴760和后沿部分780的构造,浮动块下的气流被强烈地干扰,这提升了在磁头/盘片互相作用时在浮动块的空气支承固有频率激发的第一纵向和转动模式(pitch and roll mode)的优越的阻尼特性。图6A给出了在当前浮动块的空气支承固有频率中第一纵向和转动模式的高的阻尼系数的示意性图形表示。为了进行比较,图6B给出了现有技术浮动块的相同模式的表示。除图3A所示的T型通道外,封闭浅隔壁770被形成于浮动块的后沿以同时作为装载/卸载(L/UL)支撑装置和回流阻挡装置。在动态装载/卸载过程中,大的纵向静态角(PSA)和转动静态角(RSA)会导致浮动块的后沿角成为其最低点甚至会接触到盘片。在这种情况下,如图7A到7D所示意性地示出的(在下进行说明),封闭的浅隔壁将提供最大量的额外提升力以支撑在极端的飞行高度纵向和转动角度的浮动块的后沿并缓和磁头/盘片在后沿处的接触以及扩大L/UL “最佳位置”的余地。“最佳位置”是PSA和RSA的角度范围,在该角度范围内浮动块能够成功装载/卸载而没有磁头/盘片接触。最佳位置越大,在其中出现成功的HDD运行且避免出错的余地就越大。此外,通过阻挡通常会在浮动块的后沿进入到浮动块下部的气流(回流),润滑剂粘着(pick up)和其在ABS上的聚集被显著减少或消除。 在图7A中示出当前浮动块卸载出现期间最大冲击的图形表示,作为对比,图7B示出在所有方面类似于当前浮动块但缺少浅隔壁的浮动块的同一图形分析。图中未设置阴影的区域表示最小冲击区域(“最佳区域(sweetpoint)”)。这两个浮动块构造在图8A和图8B中分别示出。图7C和图7D示出在卸载当前浮动块和缺少浅隔壁的浮动块时所受的合力的图形表示。未设置阴影的区域对应于冲击和合力最小的范围,表示最优最佳区域。将两幅图A和C与两幅图B和D分别对比,可以看出当前浮动块A和C产生了更好的(更大的区域)最佳区域。在HDD运行中,盘片以实质上不变的旋转速度旋转,这在浮动块ABS下产生正的和负的空气压力(参见图3C)并且产生支承浮动块并提供其气动属性的空气支承层。不幸的是,为了获得最佳的气动性能,常规的空气支承设计加入了特定几何特征,其使得得到的气流更加易于产生停滞区域并甚至易于流动方向的反转(例如在后沿下的回流),这两者均会导致在例如热/湿环境等某些恶劣运行条件下的润滑剂积累。润滑剂的积累会导致磁头/盘片互相作用(HDI)并甚至导致HDD故障。我们已经发现位于ABS的后沿的浅隔壁产生足够的剪力(shear force)以防止在后沿处的气流反向,从而可以显著减少润滑剂粘着和积累并除去已经粘着在ABS上的任何润滑剂。图8A示出了图3A的包括浅隔壁770的当前浮动块的后沿的一部分。位于空气穴780前的浅隔壁770阻挡来自这些穴的气流并消除会在那些穴中引起润滑剂积累的空气回流(另见示出现有技术浮动块润滑剂积累的图2)。图SB示意性地示出整体与图8A的浮动块对应但是缺少封闭浅隔壁的浮动块的后沿部分。由此,空气回流,显示为流线(起点在小方形的箭头显示向内弯曲的气流流线),从后沿向空气穴780移动并产生制造润滑剂积累的条件。在图8A示出的本发明中,浅隔壁770用于阻挡回流,并且流线不可见。现在向回参考图4,示出了当前浮动块对运行震动的响应相比于现有技术浮动块对类似震动的响应的一系列示意性的图形表示。图A、B和C涉及本发明的性能,图D、E和F涉及现有技术浮动块的性能。首先参见图A和D,其中示出了 2毫秒时间区间(横坐标)的抛物线型运行震动脉冲(装载变化)。然后参见图B和E,其中示出了按照潜在的磁头/盘片互相作用的浮动块响应。图B中一致的水平线表示没有冲击且没有纵向和转动运动变化。图E中示出了表示冲击和在纵向和转动上激烈变化的连续的尖刺。最后图C和F描述了动态飞行高度的变化,特别是最小间隔(顶部曲线)和纵向(中间曲线)以及转动角(底部曲线)的变化。图C示出与以脉冲自身A相关的非常平滑的响应。图F示出了浮动块的更加混乱的响应,其具有顶部曲线表示纵向和转动角度变化的重叠,以及底部曲线示出间隔的剧烈变化。最后参见图9,其中示出表示不同悬架和浮动块参数对飞行高度sigma的作用的饼图。图中描述Z高度sigma相对于飞行高度sigma是相对不敏感的(7. 7%依赖性)。这很重要,因为Z高度是磁头/盘片组件中最难以控制的参数之一,并且其也是对于控制飞行高度变化非常重要的参数。在通常的现有技术浮动块设计中,在Z高度和飞行高度sigma之间存在20%的关联性。本领域技术人员可以理解,本发明的优选实施例是为了说明本发明而非限制本发明。修改和改造可以对方法、步骤、材料、结构和尺寸做出,通过上述各要素形成具有提供适当飞行高度、振动保护和在高度变化和倾斜角变化条件下的气动稳定性并消除硬盘驱动器运行中的润滑剂积累的ABS表面形状的浮动块。同时还提供一种浮动块,其以根据如所附 权利要求限定的本发明而形成。
权利要求
1.一种浮动块,包括 背表面,通过该背表面所述浮动块附接到悬架; 空气支承表面(ABS)侧,具有前沿和后沿,其中所述前沿和后沿具有共同的宽度,该宽度是所述浮动块的宽度,并且其中所述浮动块的长度是所述前沿和所述后沿之间的纵向距离,其中所述ABS侧具有变化深度的表面形状并面对可旋转盘片的表面; 前沿部分和后沿部分,其中所述两个部分由横向深空气沟槽分隔; 容纳嵌入的变换器的中央平板,形成于所述后沿部分中; 横向定向的交径通道,形成于所述前沿部分中; 中间设置的下行通道,其在所述后沿部分和所述前沿部分之间延伸,其中所述下行通道具有前沿端和后沿端以及由沿中心轴纵向定向的相互分隔的纵向边缘纵向包围形成;其中所述通道的所述纵向定向的边缘在所述后沿部分内高度相等,但在它们分隔所述深空气沟槽处高度不相等,以及所述通道的所述纵向定向的边缘还形成双高度桥,所述双高度桥分隔所述深空气沟槽并且终结以形成扭结/横杆,所述通道的所述纵向定向的边缘与所述交径通道交叉并由此形成T型气流通道结构,并且其中所述下行通道的所述后沿端邻接所述中央平板; 第一对空气穴,形成于所述后沿部分中所述下行通道的每一侧; 第二对空气穴,形成于所述前沿部分中所述交径通道的每一侧; 封闭浅隔壁,沿所述后沿形成所述第一对空气穴的后沿边界并隔绝来自所述第一对空气穴的空气流出。
2.如权利要求I所述的浮动块,其中在所述下行通道和所述交径通道之间交叉点处的所述扭结/横杆允许要加压的通道进行预负荷敏感度控制。
3.如权利要求I所述的浮动块,其中所述下行通道和所述交径通道之间的所述T型交叉点作为到所述中央平板的气流向导并且即使在高的高度条件下仍然向所述平板提供加压。
4.如权利要求I所述的浮动块,其中所述双高度桥使得能在倾斜角变化的情况下控制气流。
5.如权利要求I所述的浮动块,其中所述封闭浅隔壁防止所述后沿下的空气回流并由此显著消除盘片润滑剂的粘着和积累,并且去除所有能出现的粘着物。
6.如权利要求5所述的浮动块,其中所述封闭浅隔壁上升到所述第一对空气穴之上高大约25微米,所述封闭浅隔壁形成所述第一对空气穴后沿边界。
7.如权利要求I所述的浮动块,其中所述表面形状充分干扰气流图案以在空气支承层的固有频率下阻尼所述第一纵向和转动模式。
8.如权利要求I所述的浮动块,其中调解所述下行通道和交径通道的宽度和深度提供了在所述中央平板上的目标压力的产生。
9.如权利要求I所述的浮动块,其中所述下行通道和所述深空气沟槽被蚀刻到大约140微米的深度。
10.如权利要求I所述的浮动块,其中所述交径通道被蚀刻到大约9微米的深度。
11.如权利要求I所述的浮动块,其中所述第一和第二空气穴被蚀刻到大约34微米的深度。
12.如权利要求I所述的浮动块,其中所述双高度桥由所述交径通道的两个外围侧边缘形成,其中所述边缘中较高的被蚀刻到9微米的深度,而所述边缘中的另一个被蚀刻到25微米的深度。
13.如权利要求I所述的浮动块,其中所述前沿和所述后沿之间的距离是在大约0.85和I. 25晕米之间的长度。
14.如权利要求I所述的浮动块,其中两侧边之间距离是在大约0.5和I. 0毫米之间的览度。
15.如权利要求I所述的浮动块,其中所述下行通道具有所述浮动块长度的大约50%到70%之间的长,所述浮动块宽度的大约10%到20%之间的外围边缘的平行片段间的宽。
16.如权利要求I所述的浮动块,其中所述交径通道具有所述浮动块宽度大约25%到75%之间的横向长度。
17.如权利要求I所述的浮动块,其中所述ABS平面和背表面之间的厚度在大约0.16到0. 3毫米之间。
18.—种形成浮动块的方法,包括 提供浮动块衬底; 在第一离子研磨步骤中,在所述衬底的ABS侧中蚀刻第一区域到9微米深度; 在第二离子研磨步骤中,在所述衬底的ABS侧中蚀刻第二区域25微米的进一步深度,其中所述第二区域现在形成大约25微米和34微米累积深度的第二范围; 在第三离子研磨步骤中,在所述衬底的ABS侧中蚀刻第三区域106微米的进一步深度,其中所述第三区域包括大约深度140微米的第三范围。
19.如权利要求13所述的方法,其中所述第三离子研磨步骤形成深空气沟槽和下行通道。
20.如权利要求13所述的方法,其中所述第二离子研磨步骤形成空气穴和双高度桥的较低部分。
21.如权利要求13所述的方法,其中所述第一离子研磨步骤形成交径通道。
全文摘要
一种通过三步离子研磨步骤形成的具有在亚纳米飞行高度提供气动稳定性ABS表面形状的浮动块。所述ABS设计通过位于后沿的浅隔壁显著减少了润滑剂积累并且去除了已积累的任何润滑剂。而且在下行通道和交径通道之间的交叉引导气流向嵌入有变换器的中央平板流动从而即使在高的高度条件下该平板处的压力也得到增强。所述浮动块ABS被横向深空气通道划分为两个部分,但所述通道被以不相等高度的边跨过深空气通道的交径通道横跨。该双高度桥使得倾斜角度变化得到补偿以显著减少盘磁道之间的压力变化。
文档编号G11B5/60GK102682787SQ201210022168
公开日2012年9月19日 申请日期2012年1月13日 优先权日2011年1月14日
发明者E·查, G·郑, S·杨, Z·冯 申请人:前进科技公司, 新科实业有限公司
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