技术编号:7243372
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置,其中第一导电半导体材料与第二导电半导体材料可以形成电荷补偿结构,同时器件表面沟槽存在可以降低第一导电半导体材料表面肖特基结的电场强度,从而提高器件的反向击穿电压;本发明还提供了一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置的制备方法。专利说明[0001]本发明涉及到一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置,本发明还涉及一种局电荷补偿沟槽肖特基半导体装置的制备方法。本发明的半导体装置是制造功率整流器件的基本结构。背景技术[...
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