一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置，其中第一导电半导体材料与第二导电半导体材料可以形成电荷补偿结构，同时器件表面沟槽存在可以降低第一导电半导体材料表面肖特基结的电场强度，从而提高器件的反向击穿电压；本发明还提供了一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置的制备方法。
【专利说明】一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及到一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置，本发明还涉及一种局电荷补偿沟槽肖特基半导体装置的制备方法。本发明的半导体装置是制造功率整流器件的基本结构。
【背景技术】
[0002]功率半导体器件被大量使用在电源管理和电源应用上，特别涉及到肖特基结的半导体器件已成为器件发展的重要趋势，肖特基器件具有正向开启电压低开启关断速度快等优点，同时肖特基器件也具有反向漏电流大，不能被应用于高压环境等缺点。
[0003]肖特基二极管可以通过多种不同的布局技术制造，最常用的为平面布局，传统的平面肖特基二极管在漂移区具有突变的电场分布曲线，影响了器件的反向击穿特性，同时传统的平面肖特基二极管具有较高的导通电阻。
【发明内容】
[0004]本发明针对上述问题提出，提供一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置及其制造方法。
[0005]一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置，其特征在于:包括:衬底层，为半导体材料构成；漂移层，为第一导电半导体材料，位于衬底层之上；多个沟槽，位于漂移层中，沟槽内填充第二导电半导体材料，沟槽内填充第二导电半导体材料表面低于漂移层表面，沟槽侧壁具有绝缘材料层将第一导电半导体材料与第二导电半导体材料进行隔离；肖特基势垒结,位于半导体材料表面。
[0006]一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置的制备方法，其特征在于:包括如下步骤:在衬底层表面形成第一导电半导体材料层，然后表面形成一种绝缘材料层；进行光刻腐蚀工艺去除表面部分绝缘材料层，然后刻蚀去除部分裸露半导体材料形成沟槽；在沟槽内形成绝缘材料层，反刻蚀，然后在沟槽内形成第二导电半导体材料，进行反刻蚀；在半导体材料表面去除部分绝缘材料层；淀积势垒金属，进行烧结形成肖特基势垒结。
[0007]当本发明的半导体装置接一定的反向偏压时，第一导电半导体材料与第二导电半导体材料可以形成电荷补偿，同时因器件表面沟槽存在，可以降低第一导电半导体材料表面肖特基势垒结的电场强度，因此提高了器件的反向击穿电压。
[0008]同时也可以提高漂移区的杂质掺杂浓度，降低器件的正向导通电阻，改善器件的正向导通特性。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1为本发明的一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置剖面示意图；
[0010]图2为本发明的一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置剖面示意图；
[0011]图3为本发明的一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置剖面示意图；[0012]图4为本发明的一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置剖面示意图；
[0013]图5为本发明的一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置剖面示意图；
[0014]图6为本发明的第二种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置剖面示意图。
[0015]其中，
[0016]1、衬底层；
[0017]2、二氧化硅；
[0018]3、第一导电半导体材料；
[0019]4、第二导电半导体材料；
[0020]5、第一类型肖特基势垒结；
[0021]6、第二类型肖特基势垒结；
[0022]7、欧姆接触区；
[0023]10、上表面金属层；
[0024]11、下表面金属层。
【具体实施方式】
[0025]实施例1
[0026]图1为本发明的一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置剖面图，下面结合图1详细说明本发明的半导体装置。
[0027]—种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置，包括:衬底层1，为N导电类型半导体娃材料，磷原子的掺杂浓度为1E19/CM3,在衬底层I下表面,通过下表面金属层11引出电极；第一导电半导体材料3,位于衬底层I之上，为N传导类型的半导体娃材料,磷原子的掺杂浓度为1E16/CM3 ;第二导电半导体材料4，位于第一导电半导体材料3中，为P传导类型的半导体硅材料，硼原子的掺杂浓度为1E16/CM3 ;第一类型肖特基势垒结5，位于第一导电半导体材料3的表面，为N型半导体硅材料与势垒金属形成的硅化物；第二类型肖特基势垒结6，位于第二导电半导体材料4的表面，为P型半导体硅材料与势垒金属形成的硅化物；二氧化娃2,位于沟槽内侧壁；器件上表面附有上表面金属层10,为器件引出另一电极。
[0028]其制作工艺包括如下步骤:
[0029]第一步，在衬底层I表面外延形成第一导电半导体材料3，然后淀积氮化硅层；
[0030]第二步，进行光刻腐蚀工艺，半导体材料表面去除部分氮化硅层，然后刻蚀去除部分裸露半导体硅材料形成沟槽；
[0031]第三步，在沟槽内形成热氧化形成二氧化硅2，进行反刻蚀，然后在沟槽内形成第二导电半导体材料4，进行第二导电半导体材料4反刻蚀；
[0032]第四步，腐蚀去除氮化硅层；
[0033]第五步，在半导体材料表面淀积势垒金属，进行烧结形成第一类型肖特基势垒结5和第二类型肖特基势垒结6，然后在表面淀积金属形成上表面金属层10 ；
[0034]第六步，进行背面金属化工艺，在背面形成下表面金属层11，如图1所示。
[0035]图2为本发明的一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置剖面图，是在图1基础上，将第二导电半导体材料4表面引入高浓度杂质掺杂的欧姆接触区7。
[0036]图3为本发明的一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置剖面图，是在图1基础上，将第一导电半导体材料3侧壁表面引入第一类型肖特基势垒结5。
[0037]图4为本发明的一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置剖面图，是在图3基础上，将第一导电半导体材料3上表面引入绝缘层二氧化硅2。
[0038]图5为本发明的一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置剖面图，是在图4基础上，将第二导电半导体材料4表面引入高浓度杂质掺杂的欧姆接触区7。
[0039]实施例2
[0040]图6为本发明的一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置剖面图，下面结合图6详细说明本发明的半导体装置。
[0041]一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置，包括:衬底层1，为N导电类型半导体娃材料，磷原子的掺杂浓度为1E19/CM3,在衬底层I下表面,通过下表面金属层11引出电极；第二导电半导体材料4，位于衬底层I之上，为P传导类型的半导体硅材料，硼原子的掺杂浓度为1E16/CM3 ;第一导电半导体材料3，位于第二导电半导体材料4之中，为N传导类型的半导体硅材料，磷原子的掺杂浓度为1E16/CM3 ;第一类型肖特基势垒结5，位于第一导电半导体材料3的表面，为半导体硅材料与势垒金属形成的硅化物；欧姆接触区7，位于第二导电半导体材料4的表面；二氧化娃2,位于沟槽内侧壁；器件上表面附有上表面金属层10，为器件引出另一电极。
[0042]其制作工艺包括如下步骤:
[0043]第一步，在衬底层I表面外延形成第二导电半导体材料4，然后淀积氮化硅层；
[0044]第二步，进行光刻腐蚀工艺，半导体材料表面去除部分氮化硅层，进行第二导电杂质掺杂扩散，腐蚀氧化层，然后刻蚀去除部分裸露半导体硅材料形成沟槽；
[0045]第三步，在沟槽内形成热氧化形成二氧化硅2，进行反刻蚀，然后在沟槽内形成第一导电半导体材料3，进行第一导电半导体材料3反刻蚀；
[0046]第四步，腐蚀去除氮化硅层；
[0047]第五步，在半导体材料表面淀积势垒金属，进行烧结形成第一类型肖特基势垒结5和欧姆接触区7，然后在表面淀积金属形成上表面金属层10 ；
[0048]第六步，进行背面金属化工艺，在背面形成下表面金属层11，如图6所示。
[0049]通过上述实例阐述了本发明，同时也可以采用其它实例实现本发明，本发明不局限于上述具体实例，因此本发明由所附权利要求范围限定。
【权利要求】
1.一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置，其特征在于:包括: 衬底层，为半导体材料构成； 漂移层，为第一导电半导体材料，位于衬底层之上；多个 沟槽，位于漂移层中，沟槽内填充第二导电半导体材料，沟槽内填充第二导电半导体材料表面低于漂移层表面，沟槽侧壁具有绝缘材料层将第一导电半导体材料与第二导电半导体材料进行隔离； 肖特基势垒结，位于半导体材料表面。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于:所述的衬底层可以为高浓度杂质掺杂的半导体材料层和低浓度杂质掺杂的半导体材料层的叠加层。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于:所述的沟槽可以延伸到补底层中。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于:所述的沟槽内填充第二导电半导体材料的长度占据沟槽长度的一半以上。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于:所述的第二导电半导体材料表面上部沟槽侧壁可以有绝缘材料层，也可以没有绝缘材料层。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于:所述的第二导电半导体材料表面上部沟槽侧壁有绝缘材料层，其绝缘材料层厚度可以与第二导电半导体材料表面下部沟槽侧壁绝缘材料层厚度不相同。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于:所述第一导电半导体材料表面和第二导电半导体材料表面可以全部为肖特基势垒结。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于:所述第一导电半导体材料表面可以为肖特基势垒结，同时第二导电半导体材料表面可以为欧姆接触区。
9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于:所述第一导电半导体材料表面可以为欧姆接触区，同时第二导电半导体材料表面可以为肖特基势垒结。
10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于:所述第一导电半导体材料表面可以为绝缘材料层，同时第一导电半导体材料侧壁为接触区，用于形成肖特基势垒结或欧姆接触区。
11.如权利要求1所述的一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置的制备方法，其特征在于:包括如下步骤: 1)在衬底层表面形成第一导电半导体材料层，然后表面形成一种绝缘材料层； 2)进行光刻腐蚀工艺去除表面部分绝缘材料层,然后刻蚀去除部分裸露半导体材料形成沟槽； 3)在沟槽内形成绝缘材料层，反刻蚀，然后在沟槽内形成第二导电半导体材料，进行反刻蚀； 4)在半导体材料表面去除部分绝缘材料层； 5)淀积势垒金属，进行烧结形成肖特基势垒结。
【文档编号】H01L29/872GK103515449SQ201210225199
【公开日】2014年1月15日 申请日期:2012年6月14日 优先权日:2012年6月14日
【发明者】朱江 申请人:朱江