一种肖特基二极管的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种肖特基二极管，涉及二极管领域，包括上接触层、下接触层和钝化层，所述上接触层包括半导体基层和肖特基接触层，所述肖特基接触层包括半导体层和金属层，所述半导体基层、半导体层和金属层自上而下层叠设置，所述下接触层包括连接介质层和平面接触体，所述连接介质与金属层粘接，所述钝化层包裹于上接触层和下接触层的两侧，该种肖特基二极管可广泛适用于各种保护二极管的使用场合，且可快速切换，值得推广。
【专利说明】
一种肖特基二极管
技术领域
[0001]本实用新型涉及二极管领域，具体涉及一种肖特基二极管。
【背景技术】
[0002]肖特基二极管相对于传统PN结二极管，具有较快的开关特性，也就是能够以高频从正向导通运行过渡到反向截止运行，因此肖特基二极管，特别适合于在大量不同的应用中用作为保护二极管，但是现有肖特基二极管在高电压高电流情况下工作不甚理想。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于提供一种肖特基二极管，以解决现有技术中导致的上述多项缺陷。
[0004]—种肖特基二极管，包括上接触层、下接触层和钝化层，所述上接触层包括半导体基层和肖特基接触层，所述肖特基接触层包括半导体层和金属层，所述半导体基层、半导体层和金属层自上而下层叠设置，所述下接触层包括连接介质层和平面接触体，所述连接介质与金属层粘接，所述钝化层包裹于上接触层和下接触层的两侧。
[0005]优选的，所述金属层包括金属层一和构成迀移屏障的金属层二，所述金属层二与连接介质粘接。
[0006]优选的，所述半导体基层具有η型掺杂，所述金属层二由钛制成，所述连接介质层和金属层均由铝制成。
[0007]优选的，所述平面接触体下端设置有金属接触层。
[0008]优选的，所述上接触层和下接触层均平行设置，所述钝化层与上接触层和下接触层的连接面倾斜设置。
[0009]本实用新型的有益效果:该种肖特基二极管，通过该种结构设计，可以承载较高电流和电压，可以在较高的电流和电压通过时快速切换，达到作为保护二极管的作用，所述半导体基层和半导体层采用相同材料制成，但半导体层的掺杂浓度低于半导体基层，该二极管中半导体层和金属层构成肖特基二极管工作必须的肖特基接触，再通过连接介质粘接另一接触层，构成该二极管的整体框架，该结构加强了二极管的电流和电压承载能力，所述金属层包括金属层一和构成迀移屏障的金属层二，所述金属层二与连接介质粘接，金属层二可以避免其他金属原子穿过连接介质到达金属层一进而阻碍肖特基接触，所述半导体基层具有η型掺杂，所述金属层二由钛制成，所述连接介质层和金属层均由铝制成，这些材料保证了各个层级均能在该二极管中发挥有效作用，所述平面接触体下端设置有金属接触层，在平面接触体非金属的情况下，金属接触层可以使外部与二极管构成连接，所述上接触层和下接触层均平行设置，所述钝化层与上接触层和下接触层的连接面倾斜设置，倾斜设置能够保证高压条件下二极管的正常工作。
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型所述的一种肖特基二极管的结构示意图。
[0011]图2为本实用新型所述的一种肖特基二极管的金属层部分的结构示意图。
[0012]其中:丨一半导体基层，2一半导体层，3—金属层，4一连接介质，5一平面接触体，6一钝化层，7一金属接触层，30一金属层一，31—金属层二。
【具体实施方式】
[0013]为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合【具体实施方式】，进一步阐述本实用新型。
[0014]如图1和图2所示，一种肖特基二极管，包括上接触层、下接触层和钝化层6，所述上接触层包括半导体基层I和肖特基接触层，所述肖特基接触层包括半导体层2和金属层3，所述半导体基层1、半导体层2和金属层3自上而下层叠设置，所述下接触层包括连接介质4层和平面接触体5，所述连接介质4与金属层3粘接，所述钝化层6包裹于上接触层和下接触层的两侧。该种肖特基二极管，通过该种结构设计，可以承载较高电流和电压，可以在较高的电流和电压通过时快速切换，达到作为保护二极管的作用，所述半导体基层I和半导体层2采用相同材料制成，但半导体层2的掺杂浓度低于半导体基层I，该二极管中半导体层2和金属层3构成肖特基二极管工作必须的肖特基接触，再通过连接介质4粘接另一接触层，构成该二极管的整体框架，该结构加强了二极管的电流和电压承载能力。
[0015]在本实施例中，所述金属层3包括金属层一30和构成迀移屏障的金属层二31，所述金属层二31与连接介质4粘接，金属层二31可以避免其他金属原子穿过连接介质到达金属层一30进而阻碍肖特基接触，所述半导体基层I具有η型掺杂，所述金属层二31由钛制成，所述连接介质层4和金属层3均由铝制成，这些材料保证了各个层级均能在该二极管中发挥有效作用，所述平面接触体5下端设置有金属接触层7，在平面接触体5非金属的情况下，金属接触层7可以使外部与二极管构成连接，所述上接触层和下接触层均平行设置，所述钝化层6与上接触层和下接触层的连接面倾斜设置，倾斜设置能够保证高压条件下二极管的正常工作。
[0016]基于上述，本实用新型在工作时可以承载较高电流和电压，且能在较高的电流和电压通过时快速切换，达到作为保护二极管的作用，该二极管中半导体层和金属层构成肖特基二极管工作必须的肖特基接触，再通过连接介质粘接另一接触层，构成该二极管的整体框架，该结构加强了二极管的电流和电压承载能力，值得推广。
[0017]由技术常识可知，本实用新型可以通过其它的不脱离其精神实质或必要特征的实施方案来实现。因此，上述公开的实施方案，就各方面而言，都只是举例说明，并不是仅有的。所有在本实用新型范围内或在等同于本实用新型的范围内的改变均被本实用新型包含O
【主权项】
1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括上接触层、下接触层和钝化层，所述上接触层包括半导体基层和肖特基接触层，所述肖特基接触层包括半导体层和金属层，所述半导体基层、半导体层和金属层自上而下层叠设置，所述下接触层包括连接介质层和平面接触体，所述连接介质与金属层粘接，所述钝化层包裹于上接触层和下接触层的两侧。2.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管，其特征在于:所述金属层包括金属层一和构成迀移屏障的金属层二，所述金属层二与连接介质粘接。3.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管，其特征在于:所述半导体基层具有η型掺杂，所述金属层二由钛制成，所述连接介质层和金属层均由铝制成。4.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管，其特征在于:所述平面接触体下端设置有金属接触层。5.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管，其特征在于:所述上接触层和下接触层均平行设置，所述钝化层与上接触层和下接触层的连接面倾斜设置。
【文档编号】H01L29/872GK205542800SQ201620108818
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年2月3日
【发明人】黄仲濬, 蒋文甄
【申请人】泰州优宾晶圆科技有限公司