带缓冲的肖特基二极管的制作方法
【专利说明】
[0001 ] 技术领域:
[0002]本实用新型涉及一种带缓冲的肖特基二极管。
[0003]【背景技术】:
[0004]近年来，具有耐高压、大电流、低通态电阻、低功耗特性的肖特基二极管以其独特的性能优势越来越引人注目，常规肖特基二极管中，欧姆接触电极位于衬底底部，电流沿垂直方向输运，耗尽层也在垂直方向承受反向电压。同条件下与横向导电结构相比，纵向导电结构可以实现更高的击穿电压。并且纵向导电结构便于实现多个器件单元的并联封装、提高散热性能，实现大电流;但是其导通电阻高。
[0005]
【发明内容】
:
[0006]本实用新型的目的是提供一种带缓冲的肖特基二极管。
[0007]上述的目的通过以下的技术方案实现:
[0008]—种带缓冲的肖特基二极管，其组成包括:衬底，所述的衬底上方设置有过度外延层，所述的过度外延层上方设置有外延层，所述的外延层的上方设置有缓冲层，所述的缓冲层上方设置有氮化物半导体层，所述的氮化物半导体层上方设置有A金属阳极以及B金属阳极，所述的氮化物半导体层上方设置有绝缘层，所述的衬底下方设置有阴极。
[0009]本实用新型的有益效果:
[0010]1.本实用新型采用复合阳极，包括第A金属阳极电极和B金属阳极电极，A金属阳极电极和B金属阳极电极位于氮化物半导体层上表面，并与氮化物半导体层肖特基接触;B金属阳极电极位于A金属阳极电极内表面并同时延伸至氮化物半导体层上表面;B金属阳极电极与氮化物半导体层肖特基接触，并且与氮化物半导体层形成的肖特基势皇高于A金属阳极电极与氮化物半导体层形成的肖特基势皇;对复合阳极外加正偏压时，则肖特基势皇的高度相对低的A金属阳极电极立即工作，然后，在外加电压升高的过程中B金属阳极电极工作。由于顺方向的电流升高加快，使通态电阻降低，并且可使通态电压接近O ；另一方面，如果进行外加反偏压时，则在位于B金属阳极电极下方的氮化物半导体层扩展耗尽层，夹断电流路径，遮断电流;B金属阳极电极的宽度小于氮化物半导体层的宽度;A金属阳极电极和B金属阳极电极所采用的材料可以为常用的各种，只需满足B金属阳极电极与氮化物半导体层形成的肖特基势皇高于所述A金属阳极电极与氮化物半导体层形成的肖特基势皇即可，A金属阳极电极优选使用能与氮化物半导体层形成肖特基接触的金属或合金，具体可以选自钛膜、钨膜、银膜、铝膜、钽膜中的一种或多种。
[0011]本实用新型具有横向二维电子气导电沟道高浓度、高电子迀移率的特点，降低了通态电阻;又具有纵向的导电结构，实现了电流的纵向输运，便于实现多个器件单元的并联封装。
[0012]【附图说明】:
[0013]附图1是本实用新型的结构示意图。
[0014]【具体实施方式】:
[0015]实施例1:
[0016]—种带缓冲的肖特基二极管，其组成包括:衬底I，所述的衬底上方设置有过度外延层2，所述的过度外延层上方设置有外延层3，所述的外延层的上方设置有缓冲层4，所述的缓冲层上方设置有氮化物半导体层5，所述的氮化物半导体层上方设置有A金属阳极6以及B金属阳极7，所述的氮化物半导体层上方设置有绝缘层8，所述的衬底下方设置有阴极9。
【主权项】
1.一种带缓冲的肖特基二极管，其组成包括:衬底，其特征是:所述的衬底上方设置有过度外延层，所述的过度外延层上方设置有外延层，所述的外延层的上方设置有缓冲层，所述的缓冲层上方设置有氮化物半导体层，所述的氮化物半导体层上方设置有A金属阳极以及B金属阳极，所述的氮化物半导体层上方设置有绝缘层，所述的衬底下方设置有阴极。
【专利摘要】<b>本实用新型涉及一种带缓冲的肖特基二极管。目前规肖特基二极管中，欧姆接触电极位于衬底底部，电流沿垂直方向输运，耗尽层也在垂直方向承受反向电压，同条件下与横向导电结构相比，纵向导电结构可以实现更高的击穿电压。本实用新型组成包括：衬底（</b><b>1</b><b>），所述的衬底上方设置有过度外延层（</b><b>2</b><b>），所述的过度外延层上方设置有外延层（</b><b>3</b><b>），所述的外延层的上方设置有缓冲层（</b><b>4</b><b>），所述的缓冲层上方设置有氮化物半导体层（</b><b>5</b><b>），所述的氮化物半导体层上方设置有</b><b>A</b><b>金属阳极（</b><b>6</b><b>）以及</b><b>B</b><b>金属阳极（</b><b>7</b><b>），所述的氮化物半导体层上方设置有绝缘层（</b><b>8</b><b>），所述的衬底下方设置有阴极（</b><b>9</b><b>）。本实用新型应用于。</b>
【IPC分类】H01L29/872, H01L29/06
【公开号】CN205231073
【申请号】CN201521044276
【发明人】洪旭峰, 王锰
【申请人】上海芯石微电子有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2015年12月15日