一种阵列基板及显示装置制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种阵列基板及包含该阵列基板的显示装置，所述阵列基板包括多个像素单元，每个所述像素单元均为双畴结构；并且所述阵列基板为Z反转型的阵列基板；在所述阵列基板中，每一行中的像素单元的结构相同，每一列中的任意相邻的两个像素单元的结构成镜像对称。本发明通过将双畴像素结构与Z反转结构相结合，有效改善了画面显示的均一性，因而能够显著提升液晶显示器的显示特性，并且显著降低了功耗。
【专利说明】—种阵列基板及显示装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示【技术领域】，具体涉及一种阵列基板及包含该阵列基板的显示装置。
【背景技术】
[0002]高级超维场转换技术(ADvanced Super Dimension Switch, ADS),通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD (薄膜场效应晶体管液晶显示器)产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。
[0003]为了提升液晶显示器的视角特性，ADS技术已经成为了技术发展的主流趋势，而最初的单畴ADS像素结构虽然能改善液晶显示器的视角，但是在个别角度上，仍然会出现色偏现象，这降低了液晶显示器的显示特性。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种阵列基板及显示装置，以提升液晶显示器的显示特性。
[0005]为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的:
[0006]本发明实施例一方面提供一种阵列基板，包括多个像素单元，每个所述像素单元均为双畴结构；并且所述阵列基板为Z反转型的阵列基板；其中，
[0007]在所述阵列基板中，每一行中的像素单元的结构相同，每一列中的任意相邻的两个像素单元的结构成镜像对称。
[0008]进一步地，在所述阵列基板的任意相邻的两行像素单元中，其中一行像素单元的结构为“〈”型，另一行像素单元的结构为“〉”型。
[0009]上述阵列基板中，所述像素单元的薄膜场效应晶体管TFT可以布置在栅极线和数据线交叉所形成区域中的钝角位置。
[0010]进一步地，上述阵列基板中，每一个像素单元所对应的数据线与所述像素单元保持相同的〈”型或“〉”型结构，且与同一列中相邻的像素单元对应的数据线相连接。
[0011]进一步地，每一行像素单元对应的栅极线为直线。
[0012]本发明实施例另一方面提供一种显示装置，其包括上述任一项所述的阵列基板。
[0013]本发明通过将双畴像素结构与Z反转结构相结合，有效改善了画面显示的均一性，因而能够显著提升液晶显示器的显示特性，并且显著降低了功耗。另外，通过将像素单元的TFT布置在栅极线和数据线交叉所形成区域中的钝角位置，能够使设计更加方便灵活，提高了设计的准确度和便利性。【专利附图】
【附图说明】
[0014]图1为本发明实施例的阵列基板的结构示意图。
【具体实施方式】
[0015]传统技术中，像素的TFT都会布置在相对数据线的同一侧，需要实现点反转时，需要通过变换数据线上信号的极性来实现，而且是每行扫描时都要进行极性反转，因此在液晶显示器工作时，数据线上的信号进行着高频率的极性反转。而液晶显示器的面板功耗跟信号的频率成正比，因此这种扫描反转方式的功耗较大。
[0016]基于以上情况,可以应用Z反转(Z-1nversion Design)的方式。Z反转是一种通过变换像素中的TFT与数据线的连接关系来实现点反转的技术方案。具体而言，Z反转的实现结构为，相邻行的像素单元中的TFT与相对侧的数据线连接，比如中国专利申请CN200410075861.2就公开了这样一种Z反正的像素结构。对于Z反转结构，在显示器工作时，数据线上的信号只需要按照每一帧画面进行一次极性反转，即可实现相对的点反转；而且由于是每帧进行一次极性反转，相对而言，数据信号线的信号频率降低，功耗则有显著降低。
[0017]本发明实施例通过将像素的双畴像素结构与Z反转结合，融合了双畴与Z反转二者的优势，可以同时起到改善画面均一性和降低功耗的作用。本发明实施例提供一种双畴与Z反转相结合的阵列基板，参见图1，图1中所示的阵列基板包括多个像素单元，每个所述像素单元均为双畴结构；并且所述阵列基板为Z反转型的阵列基板。
[0018]在所述阵列基板中，每一行中的像素单元的结构相同，每一列中的任意相邻的两个像素单元的结构成镜像对称。
[0019]具体而言，对于双畴的像素单元，TFT的布置位置可能是不同的，如:TFT可以布置在像素的左下角，也可以布置在像素的右下角，当然也可以布置在像素的左上角或者右上角。但因为双畴像素的对称性，其本质上和TFT布置在左下角或者右下角是一样的。因此，为了设计的方便，可以将TFT布置在像素的右下角位置，因为这里的像素栅极扫描线和数据信号线形成钝角(即:将像素的TFT布置在便于布线的栅极线和数据线交叉所形成区域中的钝角位置)，这种布置方式在空间上更加有利。
[0020]另外，为了保证液晶显示器的显示特性，在阵列单元中的两个像素单元对接后，可以设置数据线的连接具有连续性，即两个像素单元的数据线延长后可以重合，这样做的目的是尽量保证像素数据线的连续性。
[0021]需要说明的是，在上述的像素结构中，将像素单元的TFT布置在栅极线和数据线交叉所形成区域中的钝角位置时，能够使设计更加方便灵活；在实际应用中，也可以将基本像素单元的TFT布置在栅极线和数据线交叉所形成区域中的锐角位置。
[0022]综上所述可见，本发明的阵列基板包括多个像素单元，每个所述像素单元均为双畴结构；并且所述阵列基板为Z反转型的阵列基板；并且，在所述阵列基板中，每一行中的像素单元的结构相同，每一列中的任意相邻的两个像素单元的结构成镜像对称。
[0023]再有，由图1可见，在所述阵列基板的任意相邻的两行像素单元中，其中一行像素单元的结构可以为“〈”型，另一行像素单元的结构可以为“〉”型。所述像素单元的TFT可以布置在栅极线和数据线交叉所形成区域中的钝角位置。[0024]并且，每一个像素单元所对应的数据线与所述像素单元可以保持相同的〈”型或“〉”型结构，且与同一列中相邻的像素单元对应的数据线相连接。数据线与像素单元保持一致结构，可以有效保证像素的开口率(例如，如果像素为“〉”型，数据线为直线，则会导致有效显示面积变小)。
[0025]另外，每一行像素单元对应的栅极线可以为直线。
[0026]本领域的技术人员可以理解，本发明实施例的阵列基板结构可以根据实际情况进行变化。比如，每一个像素单元所对应的数据线可以不与该像素单元保持相同的〈”型或“〉”型结构，而采用直线型或其他形状；比如，每一行像素单元对应的栅极线可以为折线。本发明实施例并不对此进行限制。
[0027]本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述阵列基板。所述显示装置可以为:液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0028]综上所述可见，无论是阵列基板还是包含该阵列基板的显示装置，本发明通过将双畴像素结构与Z反转结构相结合，有效改善了画面显示的均一性，因而能够显著提升液晶显示器的显示特性，并且显著降低了功耗。另外，通过将像素单元的TFT布置在栅极线和数据线交叉所形成区域中的钝角位置，能够使设计更加方便灵活，提高了设计的准确度和便利性。
[0029]以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种阵列基板，包括多个像素单元，每个所述像素单元均为双畴结构；并且所述阵列基板为Z反转型的阵列基板；其特征在于， 在所述阵列基板中，每一行中的像素单元的结构相同，每一列中的任意相邻的两个像素单元的结构成镜像对称。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述阵列基板的任意相邻的两行像素单元中，其中一行像素单元的结构为“〈”型，另一行像素单元的结构为“〉”型。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元的薄膜场效应晶体管TFT布置在栅极线和数据线交叉所形成区域中的钝角位置。
4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，每一个像素单元所对应的数据线与所述像素单元保持相同的〈”型或“〉”型结构，且与同一列中相邻的像素单元对应的数据线相连接。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每一行像素单元对应的栅极线为直线。
6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至5任一项所述的阵列基板。
【文档编号】H01L27/02GK103515377SQ201210224451
【公开日】2014年1月15日 申请日期:2012年6月28日 优先权日:2012年6月28日
【发明者】李成 申请人:北京京东方光电科技有限公司