技术编号：7243672
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构周围的栅极侧墙、栅极侧墙两侧衬底中的应力源漏区、应力源漏区之间的沟道区，其特征在于应力源漏区靠近沟道区的侧壁为C型。依照本发明的，通过刻蚀C型源漏凹槽并且在其中外延生长应力源漏区，有效增大了沟道区应力并且精确控制了源漏凹槽深度、减小了缺陷，提高了器件性能。专利说明[0001]本发明涉及半导体集成电路制造领域，更具体地，涉及一种具有C型源漏的。背景技术[0002]进入90nm节点后，应变...
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