技术编号：7243714
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例提供了一种形成氧化层的方法及半导体产品，用以克服现有技术中在硅衬底的指定区域生长氧化层时出现鸟嘴现象的问题以及由鸟嘴现象导致的实际有源区的面积减小以及硅衬底表面的平整度的降低的问题。该方法包括在硅衬底上需要形成氧化层的区域中刻蚀出至少两个沟槽；氧化所述沟槽的底部和侧壁，使得生长的氧化物填满沟槽且相邻沟槽之间的硅衬底完全被氧化。本发明实施例还提供一种半导体产品包括使用本发明实施例提供的一种形成氧化层的方法制造的氧化层。专利说明一种形成氧化层的方法...
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