技术编号：7244088
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种TVS器件，利用在外延层中刻蚀沟槽并填入本征多晶硅及重掺杂的多晶硅以引出电极，使其耗尽区宽度增大，电容减小。本发明还公开了所述TVS器件的制造方法。专利说明TVS器件及制造方法[0001]本发明涉及一种半导体器件，特别是指一种TVS器件，本发明还涉及所述TVS器件的制造工艺方法。背景技术[0002]电压及电流的瞬态干扰是造成电子电路及设备损坏的主要原因，常给人们带来无法估量的损失。这些干扰通常来自于电力设备的起停操作、交流电网的不稳定、雷击...
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