技术编号:7244122
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,包括提供半导体衬底;氮注入或者氮等离子掺杂所述半导体衬底,形成氮掺杂区;高温氧化所述氮掺杂区,形成氮氧化物层;等离子氮化所述氮氧化物层,以形成顶部和底部富含氮的隧道氧化层。本发明所提供的制备隧道氧化物SiON的顶部和底部富含氮的结构,所述隧道氧化物的制备首先在衬底上进行氮离子注入或者掺杂,形成氮化物层,然后对所述氮化物层进行高温氧化,得到氧化物层,最近进行氮化处理,使所述氧化物最上层氮化,得到顶部和底部富含氮的SiON结构,所述方法更加容易控制...
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