技术编号:7244307
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶体半导体衬底(诸如,例如结晶硅衬底)的。背景技术在光伏工业中所使用的表面纹理化的方法经常是耗时且效率差的。为了获得具有高转换效率的光伏电池,电池的一侧(如,前侧或前表面)优选地被纹理化,同时另一侧(如,后表面)被抛光。前侧被纹理化以充分减少光反射,以使入射光的大部分量由光伏电池所捕捉。后侧被抛光,以使其用用作反射未被吸收而穿透衬底的光(如,红外光)的镜子。被后侧所反射的光可穿过衬底两次,藉此增加被吸收的机会并创建电荷载流子。在高效的硅光伏电池的...
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