技术编号:7244398
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请公开了一种,该FinFET包括半导体衬底;半导体衬底上的应力作用层;应力作用层上的半导体鳍片,该半导体鳍片包括沿着其长度方向延伸的两个侧壁;半导体鳍片的侧壁上的栅极介质层;栅极介质层上的栅极导体层;以及半导体鳍片的两端处的源区和漏区,其中应力作用层在半导体鳍片下方与半导体鳍片平行延伸,使得应力作用层沿着半导体鳍片的长度方向对半导体鳍片施加应力。专利说明[0001]本发明涉及半导体技术,更具体地涉及应变。背景技术[0002]集成电路技术的一个重要发展方...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。