技术编号:7244427
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,包括提供半导体衬底,所述半导体衬底表面具有掩膜层,且所述半导体衬底内具有相互隔离的第一开口;在所述第一开口侧壁形成保护层;以所述保护层和掩膜层为掩膜,采用各向异性的干法刻蚀工艺刻蚀所述第一开口底部,形成第二开口;刻蚀所述第二开口的侧壁,使所述第二开口的侧壁向半导体衬底内凹陷;在刻蚀所述第二开口的侧壁之后,去除所述保护层和掩膜层,相邻第一开口和第二开口之间的半导体衬底形成鳍部。所述半导体结构的形成工艺简单,节约成本。专利说明[0001]本发明涉及半导体...
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