技术编号:7244431
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种半导体器件,包括衬底、衬底中的源漏延伸区和源漏区、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构周围的栅极侧墙,其特征在于源漏延伸区位于栅极侧墙下方,并且栅极侧墙与源漏延伸区之间还具有电阻调节层。本发明还提供了该半导体器件制造方法,依照本发明的,在轻掺杂的源漏延伸区上形成电阻调节层,通过施加不同的控制电压来增强源漏延伸区的积累或者耗尽,动态地调整其电阻,有效提高器件性能。专利说明[0001]本发明涉及半导体集成电路制造领域,更具体地,涉及ー种能有效降低...
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