技术编号:7244687
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开一种高压金属氧化物半导体晶体管元件,其包含有一基底、至少一设置于该基底上的绝缘结构、一设置于该基底上的栅极、以及一源极区域与一漏极区域,设置于该栅极两侧的该基底内。该绝缘结构内包含有一凹槽,而该栅极则包含一设置于该基底表面上的第一栅极部分,以及一设置于该凹槽内的第二栅极部分,且该第二栅极部分由该第一栅极部分向下延伸。专利说明高压金属氧化物半导体晶体管元件[0001]本发明涉及一种高压金属氧化物半导体(high voltagemetal-oxi d...
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