技术编号:7245057
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种背部沟槽绝缘栅双极晶体管,传统绝缘栅双极晶体管的背P+发射区完全覆盖器件背面,本发明的绝缘栅双极晶体管通过沟槽将器件背面部分或全部区域设置为P+发射区,以此调节背P+发射区向N型基区注入空穴的效率,提高器件高频特性的应用范围。本发明还提供了一种背部沟槽绝缘栅双极晶体管的制备方法。专利说明[0001]本发明涉及到一种背部沟槽绝缘栅双极晶体管,本发明还涉及一种背部沟槽绝缘栅双极晶体管的制备方法。背景技术[0002]绝缘栅双极晶体管(Insula...
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