技术编号:7245236
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种。该高电子迁移率晶体管的制造方法包括在衬底上形成半导体层;在半导体层中形成凹槽;在凹槽底部形成介质层;在半导体层的表面上形成源极和漏极;以及在介质层上形成栅极。通过以上方法可以降低沟道中二维电子气的浓度,提高高电子迁移率晶体管正向阈值电压,并增强器件对噪声的抗干扰能力。专利说明[0001]本发明涉及半导体,更具体地涉及一种高电子迁移率晶体管的制造方法。背景技术[0002]传统的硅工艺,已经逐渐达到物理极限。由于衬底漏电流较大,因此在高功率和...
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