技术编号:7246078
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。公开了一种制造MOSFET的方法,包括在半导体衬底中形成浅沟槽,该浅沟槽围绕有源区;经由浅沟槽对有源区的一个侧壁进行第一次离子注入,以在所述一个侧壁中形成第一重掺杂区;经由浅沟槽对有源区的相对的另一个侧壁进行第二次离子注入,以在所述一个侧壁中形成第二重掺杂区;采用绝缘材料填充浅沟槽,以形成用于限定MOSFET的有源区的浅沟槽隔离;在半导体衬底上形成栅叠层和绝缘层,该绝缘层作为围绕栅叠层的侧墙和覆盖栅叠层的帽盖;以浅沟槽隔离、第一重掺杂区、第二重掺杂区和绝缘...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。