技术编号：7246171
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供，涉及半导体。该方法包括如下步骤步骤S101在形成有目标膜层的半导体衬底上形成核心材料层和位于其上的硬掩膜；步骤S102在所述半导体衬底上形成间隔材料薄膜；步骤S?103对所述间隔材料薄膜进行刻蚀以形成位于所述核心材料层侧壁的间隔层；步骤S104在所述半导体衬底上形成覆盖所述目标膜层的牺牲层；步骤S105对所述半导体衬底进行刻蚀，在去除部分所述牺牲层的同时去除所述硬掩膜；步骤S106去除所述核心材料层和所述牺牲层。该方法由于在形成间隔层的步骤与去...
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