技术编号：7246211
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用来在基体上形成一层材料的方法，该方法包括以下步骤将具有熔点或最小软化温度的半导体多晶或无定形材料的材料源与基体接触；在一个时间段内使所述材料源和基体之间形成一个温度差，其中，所述材料源的温度处于第一温度范围，其平均温度为第一平均温度，所述基体的温度处于第二温度范围，其平均温度为第二平均温度，所述第一平均温度高于所述第二平均温度，且低于所述半导体多晶或无定形材料的熔点或最小软化温度，使得所述材料源上的一部分半导体多晶或无定形材料转移到所述基体...
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