技术编号:7246519
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体晶体管,更具体而言,涉及具有由GaN系半导体构成的活性层的半导体晶体管。背景技术氮化镓系半导体晶体管(以下,GaN系半导体晶体管)例如具有由GaN系半导体构成的活性层、以及形成于活性层上的栅极绝缘膜。作为该栅极绝缘膜,使用了 Si02、Al203、SiNx、GaOx、HfO2 等。关于GaN系半导体晶体管,若将SiO2用于栅极绝缘膜,则SiO2的Si会向GaN中扩散,这是公知的。与此相对,在特开2008-277640号公报中,记载了取代将S...
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