技术编号:7246876
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种MOS器件的形成方法,包括提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成伪栅结构,所述伪栅结构包括位于半导体衬底上的伪栅以及位于伪栅侧壁上的侧墙;在所述伪栅结构两侧的半导体衬底内形成应力层;在所述伪栅结构两侧的应力层和半导体衬底上形成层间介质层,所述层间介质层的上表面与伪栅结构的上表面齐平;对所述伪栅和半导体衬底进行刻蚀,形成凹槽,所述凹槽的底面低于所述半导体衬底的上表面;在所述凹槽内依次形成栅介质层和位于所述栅介质层上的栅极,所述栅极的上表面与所述层间介质层...
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