Mos器件及其形成方法
【专利摘要】一种MOS器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构包括位于半导体衬底上的伪栅以及位于伪栅侧壁上的侧墙；在所述伪栅结构两侧的半导体衬底内形成应力层；在所述伪栅结构两侧的应力层和半导体衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的上表面与伪栅结构的上表面齐平；对所述伪栅和半导体衬底进行刻蚀，形成凹槽，所述凹槽的底面低于所述半导体衬底的上表面；在所述凹槽内依次形成栅介质层和位于所述栅介质层上的栅极，所述栅极的上表面与所述层间介质层的上表面齐平。本发明能够有效提高MOS器件沟道区载流子的迁移率，进而提高MOS器件的性能。
【专利说明】MOS器件及其形成方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造【技术领域】，尤其涉及一种MOS器件及其形成方法。
【背景技术】
[0002]众所周知，应力可以改变硅材料的能隙和载流子迁移率。随着硅材料压阻效应(Piezoresistance Effect)的深入研究,业界逐渐认识到,可以利用应力增加MOS器件的载流子迁移率，即应变娃技术(Strained Silicon)。
[0003]
【发明者】张海洋, 张城龙 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司