技术编号:7247033
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种半导体存储器件,包括第一电介质层,所述第一电介质层位于包括接触区和非接触区的半导体衬底上;刻蚀停止层图案,所述刻蚀停止层图案被形成以暴露非接触区中的第一电介质层以及覆盖接触区中的第一电介质层;接触孔,所述接触孔穿过刻蚀停止层图案和第一电介质层而延伸至接触区中的半导体衬底;接触插塞,所述接触插塞位于接触孔中;以及导线,所述导线连接至接触插塞。专利说明[0001]相关申请的交叉引用[0002]本申请要求于2012年6月13日提交的韩国专利申请第1...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。