技术编号：7247610
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，更具体地讲，涉及一种具有改善的静电放电特性和/或发光效率的。背景技术通常，氮化镓基半导体为全色显示器、交通信号灯、普通照明和光通信装置的光源，其已普遍地用于紫外光、蓝光/绿光发光二极管、激光二极管等。氮化镓基发光装置可以包括设置在η型氮化镓半导体层和P型氮化镓半导体层之间的具有InGaN基多量子阱结构的有源层，并可以通过电子和空穴在有源层的量子阱层中的复合产生光并放出光。图I是解释根据现有技术的发光二极管的剖视图。 参照图1，发光二极管包括...
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