技术编号：7247856
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种堆叠栅型SONOS闪存存储器的结构，该存储器由一个选择管和一个存储管构成，所述存储管从下至上由ONO层和第一多晶硅栅构成；所述选择管从下至上由中压氧化层和第二多晶硅栅构成，该选择管的栅氧为中压氧化层，该选择管上方有氮化硅；所述第一多晶硅栅和所述第二多晶硅栅的侧壁上有氮化硅侧墙；所述存储管和所述选择管之间有一定的重叠，重叠量为X，0<X≤第一多晶硅栅的宽度。此外，本发明还公开了该堆叠栅型SONOS闪存存储器的制造方法。本发明能够有效的缩...
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