技术编号:7248479
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供,涉及半导体。本发明的半导体器件的制造方法,在去除伪栅极的工艺步骤之前,增加了在接触孔刻蚀阻挡层的上方形成保护层的工艺。该方法避免了在去除伪栅极的工艺中在接触孔刻蚀阻挡层的上方形成凹陷,进而避免了在形成金属栅极的工艺中在接触孔刻蚀阻挡层的上方形成金属残留,在一定程度上避免了漏电流的产生,提高了半导体器件的性能。本发明的半导体器件,在接触孔刻蚀阻挡层上方形成有保护层。该半导体器件由于具有保护层,保证了在接触孔刻蚀阻挡层上方不会形成金属残留,在一定程...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。