技术编号:7248480
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供,包括提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有栅极结构;在所述栅极结构两侧形成第一侧壁体;执行一热氧化过程,以在所述半导体衬底的表面形成氧化层;在所述栅极结构两侧形成覆盖所述第一侧壁体的第二侧壁体;在所述半导体衬底的源/漏区中形成碗状凹槽;执行一湿法清洗过程,以去除所述氧化层;蚀刻所述碗状凹槽,以形成∑状凹槽;在所述∑状凹槽中形成嵌入式锗硅层。根据本发明,可以有效地控制所述∑状凹槽的沿衬底水平方向的最大宽度,在不影响LDD注入对于半导体器件的电学性...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。