技术编号:7248484
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种制造半导体器件的方法包括以下步骤在衬底之上形成多个位线结构;在位线结构之上形成彼此之间插入有覆盖层的多层间隔件层;通过选择性刻蚀间隔件层来暴露出衬底的表面;通过选择性刻蚀覆盖层来形成气隙和用于覆盖气隙的上部的覆盖间隔件;以及在位线结构之间形成储存节点接触插塞。专利说明[0001]相关申请的交叉引用[0002]本申请要求2012年5月31日提出的韩国专利申请N0.10-2012-0058435的优先 权,其全部内容通过引用合并于此。[0003]...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。