技术编号:7248710
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的结构,特别是用于功率转换设备等中的绝缘栅半导体器件(IGBT)。背景技术响应于近年来在功率电子元件领域中对于功率源仪器的微型化和増加的性能的要求,所作努力集中在增大功率半导体器件中的击穿电压和增大电流,以及改进与减少损失、増加耐损性、和增加速度相关的性能。然后,垂直沟槽MOS (金属/氧化膜/半导体)栅功率器件被用作通过其有可能增大电流和减少损失的功率半导体器件。MOS功率半导体、特别是IGBT由MOS栅驱动,且两种类型的结构被广泛所...
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