技术编号:7249197
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种制造薄膜光伏装置(100)的方法,该装置包括沉积在一个背面接触层(120)上的光伏Cu(In,Ga)Se2或等效ABC吸收层(130),例如ABC2层,该方法的特征在于包括至少五个沉积步骤,其中在至少一种C元素存在于一个或多个步骤的情况下第三或第四步骤对是顺序地可重复的。在第一步骤中,沉积至少一种B元素,接下来在第二步骤中,以沉积速率比率Ar/Br沉积A和B元素,在第三步骤中以低于先前的比率Ar/Br沉积,在第四步骤中以高于先前的比率Ar/Br沉积,并...
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