技术编号：7250232
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了从半导体材料主体表面去除至少一种氧化物的方法，所述方法包括将所述主体布置在真空室中；以及将真空室中所述主体的温度保持在预定范围内或基本在预定值，同时将所述表面暴露至铟原子的流。还公开了处理半导体材料主体的氧化表面以准备用于在所述表面上外延生长至少一个外延层或膜的所述表面的相应方法以及制造半导体器件的方法。专利说明半导体表面的氧化物去除[0001]本发明一般性涉及铟用来从半导体表面去除氧化物的用途，并且涉及使用这样的技术生产的半导体器件。具体的实...
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