技术编号：7250381
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种电子器件，包括漂移区，肖特基接触，位于所述漂移区的表面上；以及边缘终端结构，位于所述漂移区内与所述肖特基接触相邻。边缘终端结构包括凹陷区，所述凹陷区从所述漂移区的表面凹陷距离d，距离d可以为约0.5微米。专利说明[0001 ] 本发明涉及微电子器件，更具体的，涉及微电子器件的边缘终端。背景技术[0002]高压碳化硅(SiC)器件能够处理高压，并且可以处理尽高达约100安培或者更大的电流，这取决于有源面积的大小。高压SiC器件有许多重要的应用，尤其是在功...
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