技术编号:7250706
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。单片式三维NAND串及制造方法。该方法包括前侧工艺和后侧工艺两者。利用所述前侧工艺和后侧工艺的组合,NAND串可以被形成为在NAND串中的浮置栅极之间包括空气间隙。NAND串可以被形成有单个垂直沟道。备选地,NAND串可以具有U形,其具有与水平沟道连接的两个垂直沟道。专利说明3D垂直NAND以及通过前侧工艺和后侧工艺制造其的方法[0001]相关申请[0002]本申请要求于2011年4月11日提交的美国申请序列号13/083,775的优先权的权益,其整体通过...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。